[發(fā)明專利]碘化鉛光電導(dǎo)層基數(shù)字X射線平板探測(cè)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310219704.3
• 申請(qǐng)日: 2013-06-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104218045A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱興華;孫輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朱興華;孫輝
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L31/032
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.碘化鉛光電導(dǎo)層基數(shù)字X射線平板探測(cè)器，其特征在于，包括：

矩陣式薄膜晶體管玻璃基板，用于讀出電荷信號(hào)；

光電導(dǎo)層，設(shè)置在所述矩陣式薄膜晶體管玻璃基板上，用于吸收X射線轉(zhuǎn)化為電荷信號(hào)；以及

頂電極層，設(shè)置在所述光電導(dǎo)層表面，用于施加偏置電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碘化鉛光電導(dǎo)層基數(shù)字X射線平板探測(cè)器，其特征在于所述矩陣式薄膜晶體管玻璃基板包含陣列式的薄膜晶體管和像素電容。

3.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的碘化鉛光電導(dǎo)層基數(shù)字X射線平板探測(cè)器，其特征在于所述陣列式薄膜晶體管用作電子開(kāi)關(guān)，像素電容用作電荷信號(hào)存儲(chǔ)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碘化鉛光電導(dǎo)層基數(shù)字X射線平板探測(cè)器，其特征在于所述光電導(dǎo)層為碘化鉛材料層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碘化鉛光電導(dǎo)層基數(shù)字X射線平板探測(cè)器，其特征在于所述碘化鉛材料層厚度為50至500微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1和4所述的碘化鉛光電導(dǎo)層基數(shù)字X射線平板探測(cè)器，其特征在于所述矩陣式薄膜晶體管玻璃基板尺寸和碘化鉛材料層的尺寸均為5×5英寸至17×17英寸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碘化鉛光電導(dǎo)層基數(shù)字X射線平板探測(cè)器，其特征在于所述頂電極層為金或鈀薄膜。