[發明專利]半導體裝置及其制備方法

無效

• 申請號: 201310219198.8
• 申請日: 2013-06-04
• 公開（公告）號: CN103456772A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 邱鈺珊;梁雯萍
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/72;H01L21/33;H01L21/28
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張然;李昕巍

1.一種半導體裝置，包含：

一基板，包含一通孔；

一導電材料，填充于該通孔內；以及

一材料層，形成于該導電材料內，其中該導電材料的電阻值低于該材料層的電阻值。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該材料層位于該通孔的上方部分內。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該材料層包含金屬層或非金屬層。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該材料層包含鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、氮化鉭碳、釕、錳中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該導電材料包含銅。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，還包含一隔離層，其中該隔離層形成于該通孔的一側壁。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，還包含一絕緣層，其中該絕緣層位于該隔離層和該通孔的該側壁之間。

8.一種半導體裝置，包含：

一基板，包含一通孔和一側壁，其中該側壁界定該通孔；

一種子層，形成于該基板的該側壁上；

一材料層，部分覆蓋該種子層；以及

一導電材料，填充于該通孔內。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中該材料層覆蓋該種子層的上方部分。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中該材料層包含金屬層或非金屬層。

11.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中該材料層包含鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、氮化鉭碳、釕、錳中的至少一種。

12.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中該導電材料包含銅。

13.根據權利要求8所述的半導體裝置，還包含一隔離層，其中該隔離層形成于該基板的該側壁。

14.根據權利要求13項所述的半導體裝置，還包含一絕緣層，其中該絕緣層位于該隔離層和該基板的該側壁之間。

15.一種半導體裝置的制備方法，包含：

于一基板上形成一開孔；

于該開孔內形成一種子層；

形成一覆蓋該種子層的上方部分的材料層；

以電鍍填充電阻值低于該材料層的電阻值的一導電材料于該開孔的下方部分；以及

依由下而上的電鍍方法以該導電材料填充該開孔內未填充的部分。

16.根據權利要求15所述的制備方法，其中該材料層包含金屬層或非金屬層。

17.根據權利要求15所述的制備方法，其中該材料層包含鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、氮化鉭碳、釕、錳中的至少一種。

18.根據權利要求15所述的制備方法，其中該導電材料包含銅。

19.根據權利要求15所述的制備方法，其中該種子層包含銅。