[發(fā)明專(zhuān)利]一種解理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310219185.0
• 申請(qǐng)日: 2013-06-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103296578A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃宏娟;趙德勝;張寶順
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01S5/02
• 分類(lèi)號(hào): H01S5/02
• 代理公司: 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 楊林;李友佳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種用于解理半導(dǎo)體的解理裝置。

背景技術(shù)

目前現(xiàn)有的GaAs、InP等材料的光電器件(例如巴條)解理工藝，普遍采用金剛刀切缺口后用滾輪在巴條上滾動(dòng)，并對(duì)巴條施加向下壓力來(lái)達(dá)到將巴條裂開(kāi)的效果。這種解理的方式對(duì)于一些表面結(jié)構(gòu)不耐壓的樣品來(lái)說(shuō)，會(huì)有較大程度的機(jī)械損傷，同時(shí)滾輪直接接觸芯片結(jié)構(gòu)表面，裂片產(chǎn)生的碎屑易粘附在滾輪上，為此會(huì)帶來(lái)一定程度的碎屑等沾污樣品結(jié)構(gòu)表面的可能。

為了避免上述的損傷，現(xiàn)有的工藝在解理前對(duì)樣品的表面進(jìn)行保護(hù)，比如涂覆厚光刻膠。但是，這種保護(hù)工序也會(huì)帶來(lái)工藝的繁瑣及難度，如解理后的保護(hù)膠去除，由于樣品變小，清洗工藝同樣會(huì)磨損樣品，且操作費(fèi)時(shí)費(fèi)力。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種解理裝置，用于將半導(dǎo)體巴條解理為若干個(gè)芯片，其包括：

一負(fù)壓源，以及，

一吸附腔體，通過(guò)一連接管與所述負(fù)壓源連接；所述吸附腔體包括第一上蓋和第二上蓋，所述第一上蓋與所述第二上蓋成一夾角相互支撐形成脊部；所述第一上蓋、第二上蓋分別設(shè)有若干個(gè)通孔與跨設(shè)于所述第一上蓋、第二上蓋上的巴條對(duì)應(yīng)，通過(guò)所述吸附腔體對(duì)巴條的吸附力，實(shí)現(xiàn)巴條以脊部為支點(diǎn)進(jìn)行自然解理。

優(yōu)選地，所述通孔孔徑小于一個(gè)芯片的寬度。

優(yōu)選地，所述夾角為大于170°且小于180°。

優(yōu)選地，第一上蓋或第二上蓋是水平設(shè)置的。

優(yōu)選地，所述第一上蓋或第二上蓋還設(shè)有劃片臺(tái)與所述脊部毗鄰，一劃片刀對(duì)應(yīng)懸于所述劃片臺(tái)上方，用于在所述劃片臺(tái)上對(duì)所述巴條表面進(jìn)行劃片。

優(yōu)選地，所述吸附腔體還包括對(duì)應(yīng)設(shè)于所述劃片臺(tái)底部的支撐組件，用于穿過(guò)所述劃片臺(tái)上開(kāi)設(shè)的孔槽，對(duì)所述巴條施加與所述吸附力方向相反的支持力。

優(yōu)選地，所述孔槽孔徑不大于所述劃片臺(tái)的二分之一。

優(yōu)選地，所述支撐組件包括承載片以及布設(shè)于所述承載片上的頂柱或刺針，以及用于驅(qū)動(dòng)所述承載片帶動(dòng)所述頂柱或刺針上下運(yùn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置。

有益效果：本發(fā)明通過(guò)吸附作用對(duì)芯片結(jié)構(gòu)面實(shí)現(xiàn)非接觸式解理，可避免機(jī)械解理對(duì)樣品結(jié)構(gòu)的損壞，提高了樣品的質(zhì)量。同時(shí)，也省去了保護(hù)樣品和清洗樣品表面的工序，可以節(jié)省工藝步驟和大大提高工藝效率，進(jìn)而節(jié)省生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例1的解理裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例1的解理裝置的局部剖切圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例1另一種解理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例1完成一個(gè)芯片解理后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5(a)(b)分別為本發(fā)明實(shí)施例2的解理裝置的局部剖切圖及頂柱結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明。

本發(fā)明的解理裝置，應(yīng)用于GaAs、InP等脆性材料的解理工藝，可以實(shí)現(xiàn)樣品結(jié)構(gòu)表面無(wú)接觸裂片的目的。本發(fā)明適用于脆性材料的解理，為使本發(fā)明更淺顯易懂，以下將以應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)的較佳實(shí)施例，配合圖式范例予以詳細(xì)說(shuō)明。此圖式及詳細(xì)說(shuō)明并非用以限定本發(fā)明所揭露的技術(shù)及各種更動(dòng)與潤(rùn)飾。

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供一種解理裝置，用于實(shí)現(xiàn)巴條自然解理為芯片。其中，為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明的特征，自定義：每個(gè)巴條包括兩部分，劃片一部分為即將被解理出來(lái)的部分為準(zhǔn)芯片，余下的部分為待解理巴條。本實(shí)施例的巴條厚度為70～150μm，切割出的一個(gè)芯片的寬度約為500μm。

如圖1所示，本實(shí)施例提供的解理裝置包括：

長(zhǎng)方體狀的吸附腔體10，其頂部設(shè)有第一上蓋11和第二上蓋12。所述第二上蓋12平行吸附腔體10底部水平設(shè)置，第一上蓋11傾側(cè)后與第二上蓋12以一夾角(172°)相互支撐形成一脊部13。其中，所述脊部13用于跨設(shè)于其上方的巴條20作為解理的支點(diǎn)。