[發明專利]巴倫電路有效
| 申請號： | 201310219046.8 | 申請日： | 2013-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN103338019A | 公開（公告）日： | 2013-10-02 |
| 發明（設計）人： | 羅訊 | 申請（專利權）人： | 華為技術有限公司 |
| 主分類號： | H03H7/42 | 分類號： | H03H7/42;H01P5/10 |
| 代理公司： | 北京龍雙利達知識產權代理有限公司 11329 | 代理人： | 王君;肖鸝 |
| 地址： | 518129 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電路 | ||
1.一種巴倫電路，其特征在于，包括：第一組四分之一波長平衡傳輸線、第二組四分之一波長平衡傳輸線和雙層四線耦合補償傳輸線，所述第一組四分之一波長平衡傳輸線包括第一四分之一波長傳輸線和第二四分之一波長傳輸線，所述第二組四分之一波長平衡傳輸線包括第三四分之一波長傳輸線和第四四分之一波長傳輸線；?
所述第一四分之一波長傳輸線的一端與所述雙層四線耦合補償傳輸線中的第一傳輸線的一端相連接；?
所述第二四分之一波長傳輸線的一端與所述雙層四線耦合補償傳輸線中的第二傳輸線的一端相連接；?
所述第三四分之一波長傳輸線的一端與所述雙層四線耦合補償傳輸線中的第三傳輸線的一端相連接；以及?
所述第四四分之一波長傳輸線的一端與所述雙層四線耦合補償傳輸線中的第四傳輸線的一端相連接；?
所述第一四分之一波長傳輸線的另一端和所述第四四分之一波長傳輸線的另一端均接地，所述第二傳輸線的另一端和所述第三傳輸線的另一端相連接，所述第二四分之一波長傳輸線的另一端為單端信號輸入端口，所述雙層四線耦合補償傳輸線中的所述第一傳輸線的另一端和所述第四傳輸線的另一端為雙端差分信號輸出端口。?
2.根據權利要求1所述的巴倫電路，其特征在于，所述巴倫電路采用互補金屬氧化物半導體CMOS工藝或雙極互補金屬氧化物半導體BiCMOS工藝或砷化鎵和苯并環丁烯BCB工藝制造。?
3.根據權利要求2所述的巴倫電路，其特征在于，當所述巴倫電路采用CMOS工藝或BiCMOS工藝或BCB工藝制造時，?
在所述CMOS工藝或所述BiCMOS工藝或所述BCB工藝下，所述雙層四線耦合補償傳輸線位于至少兩個金屬層；?
其中，所述第二傳輸線和所述第三傳輸線均位于所述至少兩個金屬層中的第一金屬層；以及?
所述第一傳輸線和所述第四傳輸線均位于所述至少兩個金屬層中的第二金屬層。?
4.根據權利要求3所述的巴倫電路，其特征在于，?
所述第一四分之一波長傳輸線和所述第四四分之一波長傳輸線的位于所述第一金屬層，以及所述第二四分之一波長傳輸線和所述第三四分之一波長傳輸線均位于所述第二金屬層。?
5.根據權利要求3或4所述的巴倫電路，其特征在于，當所述巴倫電路采用CMOS工藝或BiCMOS工藝時，所述第一金屬層為MA層，以及所述第二金屬層為E1層。?
6.根據權利要求1-5任一項所述的巴倫電路，其特征在于，?
所述巴倫電路還包括第一屏蔽層和第二屏蔽層；所述第一屏蔽層位于所述第一組四分之一波長傳輸線的下方，且所述第一屏蔽層接地，以減少所述第一組四分之一波長傳輸線對地的縱向電場效應；?
所述第二屏蔽層位于所述第二組四分之一波長傳輸線的下方，且所述第二屏蔽層接地，以減少所述第二組四分之一波長傳輸線對地的縱向電場效應。?
7.根據權利6所述的巴倫電路，其特征在于，所述第一屏蔽層和所述第二屏蔽層均為浮形屏蔽層。?
8.根據權利要求7所述的巴倫電路，其特征在于，?
所述浮形屏蔽層具有中心抽頭，所述浮形屏蔽層通過所述中心抽頭接地。?
9.根據權利要求1-8任一項所述的巴倫電路，其特征在于，所述第一組四分之一波長平衡傳輸線和所述第二組四分之一波長平衡傳輸線均為螺旋形堆疊式結構。?
10.根據權利要求1-8任一項所述的巴倫電路，其特征在于，所述第一組四分之一波長平衡傳輸線和所述第二組四分之一波長平衡傳輸線均為螺旋形同層結構。?
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