[發明專利]一種TiNi基形狀記憶合金多層薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201310218960.0
• 申請日: 2013-06-05
• 公開（公告）號: CN103305801A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 佟運祥;鄭玉峰;李莉;陳楓;劉珺婷;胡茜
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工程大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54;B32B15/01
• 代理公司: 暫無信息
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1.一種TiNi基形狀記憶合金多層薄膜，其特征是：是由TiNiFe層、TiNi層和TiNiHf層按周期排列的多層膜。

2.一種TiNi基形狀記憶合金多層薄膜的制備方法，其特征是：

（1）、以TiNiFe材料、TiNi材料與TiNiHf材料作為濺射靶材，其中TiNiFe材料成分為Ti的原子個數比為48～51%、Fe的原子個數比為1～3％、其余為Ni，TiNi材料成分為Ti的原子個數比為49～52％、其余為Ni，TiNiHf材料成分為Ni的原子個數比為48～51%、Hf原子個數比為6～15％、其余為Ni，將三種靶材分別安裝在磁控濺射設備相應的靶位上；

（2）、將襯底置于真空室樣品臺上，抽真空至1×10^-4～1×10^-5Pa，充入氬氣至真空度為0.1～0.5Pa，將樣品臺加熱至250～450℃，在濺射功率為200～600W，靶材與襯底間距為60～200mm的條件下濺射沉積TiNiFe薄膜；

（3）、關閉TiNiFe材料靶位的電源；

（4）、開啟TiNi材料靶位的電源，以與步驟（2）相同的參數濺射沉積TiNi薄膜；

（5）、關閉TiNi材料靶位的電源；

（6）、開啟TiNiHf材料靶位的電源，以與步驟（2）相同的參數濺射沉積TiNiHf薄膜，得到TiNiFe/TiNi/TiNiHf三層膜；

（7）、重復步驟（2）～（6），得到TiNiFe/TiNi/TiNiHf多層膜。

3.根據權利要求2所述的TiNi基形狀記憶合金多層薄膜的制備方法，其特征是：所述的TiNiFe材料、TiNi材料與TiNiHf材料分別為TiNiFe合金、TiNi合金與TiNiHf合金。

4.根據權利要求2所述的TiNi基形狀記憶合金多層薄膜的制備方法，其特征是：所述的TiNiFe材料、TiNi材料與TiNiHf材料分別為在TiNi合金的表面粘貼4～8片Fe片、TiNi合金與在TiNi合金的表面粘貼4～8片Hf片。

5.根據權利要求2、3或4所述的TiNi基形狀記憶合金多層薄膜的制備方法，其特征是：濺射沉積過程中樣品臺保持以20～30rpm的速度旋轉。

6.根據權利要求2、3或4所述的TiNi基形狀記憶合金多層薄膜的制備方法，其特征是：所述的襯底是單晶Si片、覆蓋有SiO₂或者SiN薄膜的Si片或石英玻璃。

7.根據權利要求5所述的TiNi基形狀記憶合金多層薄膜的制備方法，其特征是：所述的襯底是單晶Si片、覆蓋有SiO₂或者SiN薄膜的Si片或石英玻璃。