[發明專利]一種在鎂合金筆記本電腦外殼表面電鍍鎳工藝

無效

• 申請號: 201310218953.0
• 申請日: 2013-06-04
• 公開（公告）號: CN103898566A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 錢永清
• 申請（專利權）人: 無錫市錫山區鵝湖鎮蕩口青蕩金屬制品廠
• 主分類號: C25D3/16
• 分類號: C25D3/16;C25D5/42
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊小雙

技術領域

本發明涉及電鍍技術領域，尤其涉及一種在鎂合金筆記本電腦外殼表面電鍍鎳工藝。

背景技術

鎂合金具有比重小、減震性能好，具有較高比強度、比剛度和比彈性模量和較好的熱傳導性、電磁屏蔽性能等等，適于用作筆記本電腦的外殼制作。但鎂合金化學活性高，電極電位低，表面氧化膜疏松，致使防護性能低，制約了鎂合金的應用和發展。由此引起了人們對鎂合金制件表面腐蝕與防護的關注，在鎂合金表面陽極氧化、化學轉化膜、有機涂層、表面鍍覆等方面進行了大量的研究，特別是采用電鍍鎳方法作為一種成本低、工藝簡單、易于操作的表面鍍覆技術，已成為人們對鎂合金表面防護的重要研究方向。

對鎂合金表面電鍍鎳一般要經過前處理過程，以避免基體在電鍍槽液中的腐蝕。目前電鍍鎳的前處理主要有兩種工藝方法，一是浸鍍鋅-氰化鍍銅工藝；二是多次浸鍍鋅-電鍍鋅-電鍍銅工藝。前者采用了有毒的氰化物，會對生態環境產生嚴重污染；后者電鍍液穩定性差，焦磷酸鹽鍍銅工藝參數控制嚴格，鍍層質量穩定性對其十分敏感，為操作者帶來不便。前處理完成后再用氟硼酸鹽或者氨基磺酸鹽鍍液進行鍍鎳，避免采用廉價、工藝簡單、操作方便的硫酸鹽(瓦特鍍液)鍍鎳所帶來的對基體的腐蝕和鍍層結晶粗大等質量問題。

在日益嚴峻的資源和環境保護的壓力下，開展鎂金屬材料及其防腐蝕方法研究是世界可持續發展的緊迫任務之一，盡管近年來在鎂合金保護方面已經取得階段性進展，并在一定領域得到應用，但仍然沒有形成可以完全取代傳統鎂合金電鍍的方法。因此，希望能夠開發出一種環保的電鍍工藝來滿足現代化的得清潔節能的生產要求。

發明內容

本發明的目的在于提出一種在鎂合金筆記本電腦外殼表面電鍍鎳工藝，該工藝通過對電鍍鎳鍍液組分的調整，不采用有毒、污染高的組分，使得鍍覆工藝環保安全，并且制備的鍍層耐腐蝕高，外觀美觀，基體和鍍層結合力高。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

一種在鎂合金筆記本電腦外殼表面電鍍鎳工藝，所述工藝包括如下步驟：堿洗→酸洗→活化→浸鋅→無氰電鍍銅→電鍍鎳，其中電鍍鎳鍍液組成為：硫酸鎳210-220g/L，氯化鎳15-25g/L，硼酸52-56g/L，硫酸鉀20-26g/L，十二烷基磺酸鈉0.5-1.5g/L，檸檬酸三鈉8-12g/L，無水乙酸鈉36-40g/L，乙氧化丁炔二醇30-40mg/L，丙酸3-4g/L，余量為水；工藝條件為：pH值3.5-4.5；電流密度2.5-3.5A/dm²，溫度65-75℃，時間20-30min。

本發明具有的優點：

本發明通過對各電鍍鎳鍍液的選擇以及含量的調整，使得鍍液性能穩定，使得每一次處理都獲得了良好的技術效果，為后續工藝打下良好的基礎，最終制備的鍍鉻層結合力強，并且的金屬涂層，鍍膜厚度均勻，耐蝕性高。整個鍍覆過程不采用氰化物，并且選用的氟化物用量比現有技術少，因此，該鍍覆工藝綠色環保。

具體實施方式

實施例一

一種在鎂合金筆記本電腦外殼表面電鍍鎳工藝，所述工藝包括如下步驟：堿洗→酸洗→活化→浸鋅→無氰電鍍銅→電鍍鎳，其中電鍍鎳鍍液組成為：硫酸鎳210g/L，氯化鎳25g/L，硼酸52g/L，硫酸鉀26g/L，十二烷基磺酸鈉0.5g/L，檸檬酸三鈉12g/L，無水乙酸鈉36g/L，乙氧化丁炔二醇40mg/L，丙酸3g/L，余量為水；工藝條件為：pH值3.5-4.5；電流密度2.5-3.5A/dm²，溫度65-75℃，時間30min。

實施例二

一種在鎂合金筆記本電腦外殼表面電鍍鎳工藝，所述工藝包括如下步驟：堿洗→酸洗→活化→浸鋅→無氰電鍍銅→電鍍鎳，其中電鍍鎳鍍液組成為：硫酸鎳220g/L，氯化鎳15g/L，硼酸56g/L，硫酸鉀20g/L，十二烷基磺酸鈉1.5g/L，檸檬酸三鈉8g/L，無水乙酸鈉40g/L，乙氧化丁炔二醇30mg/L，丙酸4g/L，余量為水；工藝條件為：pH值3.5；電流密度2.5-3.5A/dm²，溫度65-75℃，時間30min。

實施例三

一種在鎂合金筆記本電腦外殼表面電鍍鎳工藝，所述工藝包括如下步驟：堿洗→酸洗→活化→浸鋅→無氰電鍍銅→電鍍鎳，其中電鍍鎳鍍液組成為：硫酸鎳215g/L，氯化鎳20g/L，硼酸54g/L，硫酸鉀23g/L，十二烷基磺酸鈉1.0g/L，檸檬酸三鈉10g/L，無水乙酸鈉38g/L，乙氧化丁炔二醇35mg/L，丙酸3.5g/L，余量為水；工藝條件為：pH值3.5-4.5；電流密度2.5-3.5A/dm²，溫度65-75℃，時間25min。