[發(fā)明專利]一種薄膜覆蓋正面電極的硅太陽(yáng)能電池及其制造工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310218746.5
• 申請(qǐng)日: 2013-06-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103337553A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李質(zhì)磊;路忠林;盛雯婷;張鳳鳴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京日托光伏科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種薄膜覆蓋MWT太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1）選取具有第一導(dǎo)電類型的硅片，經(jīng)過(guò)在硅片預(yù)定位置開(kāi)設(shè)通孔、以及制絨、擴(kuò)散、通孔背結(jié)保護(hù)和刻蝕工藝后形成具有通孔的電池襯底；

2）去除所述電池襯底表面的PSG；

3）向該電池襯底上所述通孔內(nèi)填充漿料，并制備背面電極，然后烘干；

4）制備背面背場(chǎng)，然后烘干；

5）制備電池正面電極，然后烘干；

6）在步驟4）所形成的電池襯底上表面鍍減反射膜，該減反射膜完全覆蓋正面電極；

7）經(jīng)燒結(jié)后測(cè)試分選。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜覆蓋MWT太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，所述步驟6）中所述減反射膜為氮化硅膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜覆蓋MWT太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，所述步驟5）中利用絲網(wǎng)印刷技術(shù)制備正面電極。

4.一種薄膜覆蓋MWT結(jié)構(gòu)SE太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1）選取具有第一導(dǎo)電類型的硅片，經(jīng)過(guò)在硅片預(yù)定位置開(kāi)設(shè)通孔、以及制絨、擴(kuò)散、通孔背結(jié)保護(hù)、刻蝕工藝形成具有通孔的電池襯底；

2）在所述電池襯底表面打印掩膜，將電極下方需要重?fù)诫s區(qū)域遮蔽起來(lái)；

3）刻蝕所述帶有掩膜的電池襯底，去除硅片周圍多余的PN結(jié)；

4）去除所述電池襯底表面的PSG，對(duì)未被石蠟掩膜遮蔽的區(qū)域進(jìn)行刨結(jié)處理，處理完畢后去除石蠟掩膜；

5）向該電池襯底上所述通孔內(nèi)填充漿料，并制備背面電極，然后烘干；

6）制備背面背場(chǎng)，然后烘干；

7）制備電池的正面電極，然后烘干；

8）在步驟7）所形成的電池襯底上表面鍍減反射膜，該減反射膜完全覆蓋正面電極；

9）經(jīng)燒結(jié)后測(cè)試分選。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜覆蓋MWT太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，所述步驟8）中所述減反射膜為氮化硅膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的薄膜覆蓋MWT太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜覆蓋MWT太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，所述步驟7）采用噴墨打印制作電池的正面電極。

8.一種根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的薄膜覆蓋MWT太陽(yáng)能電池制造工藝生產(chǎn)的薄膜覆蓋MWT太陽(yáng)能電池，包括減反射膜和正面電極，其特征在于，該電池的減反射膜完全覆蓋正面電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種薄膜覆蓋MWT太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述減反射膜為氮化硅膜。