[發(fā)明專利]采用高溫熔融的方法制作碘離子選擇性電極晶體膜

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310218712.6
• 申請(qǐng)日: 2013-06-04
• 公開（公告）號(hào): CN103308581A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鄭靜雨
• 主分類號(hào): G01N27/333
• 分類號(hào): G01N27/333
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.采用高溫熔融的方法制作碘離子選擇性電極晶體膜，其特征是，把碘化銀加熱至熔融，加入一定比例硫化銀繼續(xù)加熱，用硫化銀作為硫化劑對(duì)碘化銀進(jìn)行高溫硫化，同時(shí)進(jìn)行高溫冶煉，去除雜質(zhì)提純，把經(jīng)過硫化銀高溫硫化并高溫熔融冶煉提純的碘化銀作為碘離子選擇性電極的晶體膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用高溫熔融的方法制作碘離子選擇性電極晶體膜，其特征是，用作碘離子選擇性電極晶體膜碘化銀的制作過程是在加熱熔融的狀態(tài)下的加工工藝過程，加熱熔融的溫度為450℃～850℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用高溫熔融的方法制作碘離子選擇性電極晶體膜，其特征是，在碘化銀中加入硫化銀的比例為0.001%～100%，加入硫化銀的方法有摻入法或混合法，摻入法是在熔融的碘化銀中加入硫化銀繼續(xù)加熱使硫化銀也被熔融，混合法是二者混合后一起加熱至熔融。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用高溫熔融的方法制作碘離子選擇性電極晶體膜，其特征是，對(duì)碘化銀進(jìn)行高溫硫化的硫化劑是硫化銀，使碘化銀晶體交聯(lián)形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，高溫硫化溫度為500℃～1000℃，高溫硫化時(shí)間為1分鐘～600分鐘，高溫硫化時(shí)需震蕩或攪拌以利于消除氣泡及分層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用高溫熔融的方法制作碘離子選擇性電極晶體膜，其特征是，在碘化銀進(jìn)行高溫硫化的同時(shí)進(jìn)行高溫冶煉，冶煉時(shí)間為1分鐘～600分鐘，冶煉時(shí)需震蕩或攪拌以利于消除氣泡及分層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用高溫熔融的方法制作碘離子選擇性電極晶體膜，其特征是，提純時(shí)，去除漂浮在上層或沉淀在底部的微量氯化物以及其他雜質(zhì)或有機(jī)物雜質(zhì)的方法有高溫法或室溫法，高溫法是冶煉碘化銀時(shí)在熔融流動(dòng)狀態(tài)下保持加熱并停止震蕩攪拌1分鐘～30分鐘，采用分層傾倒的方法分離上層雜質(zhì)、純凈層和沉淀在底部的雜質(zhì)；室溫法是把高溫硫化處理并且冶煉的碘化銀自然冷卻后在室溫下用機(jī)械切割方法分離上層的雜質(zhì)、純凈層及底部的雜質(zhì)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用高溫熔融的方法制作碘離子選擇性電極晶體膜，其特征是，把經(jīng)過硫化銀高溫硫化并高溫熔融冶煉提純的碘化銀作為碘離子選擇性電極的晶體膜用熱浸涂、熱噴涂、澆注成型或機(jī)械加工成型等工藝方法連接在高純度銀質(zhì)基體上，自然冷卻后制成各種形式的高溫熔融晶體膜碘離子選擇性電極，銀質(zhì)基體包括各種形狀的銀片、銀絲或表面鍍銀體及其各種組合體。