[發明專利]布局修改方法及系統

有效

• 申請號: 201310218309.3
• 申請日: 2013-06-04
• 公開（公告）號: CN103605817A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 李孟祥;許力中;楊士賢;余和哲;譚競豪;王中興
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

提供非易失性機器可讀存儲介質，所述非易失性機器可讀存儲介質存儲先前下線的集成電路(IC)布局的至少一部分的局部網表，所述局部網表代表用于制造具有使IC滿足第一規格值的IC布局的IC的光掩模組；

通過計算機識別所述IC布局中的多個第一器件的固有子器件，使得通過第二器件代替所述第一器件的所述固有子器件在修改后的IC布局中滿足不同于所述第一規格值的第二規格值；以及

生成至少一個布局掩模并將所述至少一個布局掩模存儲在可通過用于形成至少一個附加光掩模的工具訪問的至少一個非易失性機器可讀存儲介質中，使得將所述光掩模組和所述至少一個附加光掩模用于根據所述修改后的IC布局制造IC。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在不改變所述光掩模組中的任何光掩模的情況下實施生成步驟。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，

將所述光掩模組用于實施多個半導體工藝步驟；以及

將附加光掩模配置成選擇性地針對多個工藝步驟中的一個工藝步驟改變所述第一器件的固有子器件的總曝光時間，使得所述第一器件的所述固有子器件在所述一個工藝步驟中的工藝時間不同于排除在所述固有子器件之外的任何第一器件在所述一個工藝步驟中的工藝時間。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，將所述附加光掩模配置成選擇性地針對柵極絕緣層形成工藝改變所述第一器件的所述固有子器件的曝光時間。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，將所述附加光掩模配置成選擇性地針對離子注入工藝改變所述第一器件的所述固有子器件的曝光時間。

6.根據權利要求3所述的方法，其中，將所述附加光掩模配置成選擇性地改變所述第一器件的所述固有子器件的柵極側壁間隔件的長度。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，提供包括所述局部網表的介質的步驟包括：

(a)識別所述先前下線的IC布局的所述部分中的多個標準單元；以及

(b)識別所述多個標準單元之間的互連，其中，步驟(a)和(b)基于所述光掩模組的布局檢查。

8.根據權利要求7所述的方法，步驟(a)包括：

將單元庫的標準單元的至少一層的特征與所述光掩模組中的至少一個光掩模的相應特征進行比較；以及

如果所述標準單元的所述至少一層的特征與所述至少一個光掩模中的所述相應特征相匹配，則將該特征識別為所述標準單元的實例的一部分。

9.一種系統，包括：

非易失性機器可讀存儲介質，存儲先前下線的集成電路(IC)布局的至少一部分的局部網表，所述局部網表代表用于制造具有使所述IC滿足第一規格值的IC布局的IC的光掩模組；

至少一個處理器，被配置成識別所述IC布局中的多個第一器件的固有子器件，使得通過第二器件代替所述第一器件的所述固有子器件在修改后的IC布局中滿足不同于所述第一規格值的第二規格值；以及

所述至少一個處理器，進一步被配置成生成至少一個布局掩模并將所述至少一個布局掩模存儲在可通過用于形成至少一個附加光掩模的工具訪問的至少一個非易失性機器可讀存儲介質中，使得所述光掩模組和所述至少一個附加光掩模用于根據所述修改后的IC布局制造IC。

10.一種非易失性計算機可讀存儲介質，包括至少一個并且通過計算機程序指令進行編碼，使得當計算機執行所述計算機程序指令時，所述計算機執行包括以下步驟的方法：

訪問包括先前下線的集成電路(IC)布局的至少一部分的局部網表的非易失性機器可讀存儲介質，所述局部網表代表用于制造具有使IC滿足第一規格值的IC布局的IC的光掩模組；

通過所述計算機識別所述IC布局中的多個第一器件的固有子器件，使得通過第二器件代替所述第一器件的所述固有子器件在修改后的IC布局中滿足不同于所述第一規格值的第二規格值；

在所述計算機中生成至少一個布局掩模并將所述至少一個布局掩模存儲在可通過用于形成至少一個附加光掩模的工具訪問的至少一個非易失性機器可讀存儲介質中，使得所述光掩模組和所述至少一個附加光掩模用于根據所述修改后的IC布局制造IC。