[發明專利]一種用于LED芯片側壁腐蝕工藝的高溫強酸槽

有效

• 申請號: 201310218082.2
• 申請日: 2013-06-04
• 公開（公告）號: CN103337565A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 段成龍;姚立新;張偉鋒;張乾;關宏武
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十五研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/306
• 代理公司: 北京中建聯合知識產權代理事務所 11004
• 代理人: 朱麗巖

1.一種用于LED芯片側壁腐蝕工藝的高溫強酸槽,其特征在于:該高溫強酸槽是由石英缸(9)、陶瓷加熱器（8）、隔熱層（10）、保護殼（7）、排風罩（17）和自動蓋（27）組成；陶瓷加熱器（8）位于石英缸(9)的外部，通過石英缸(9)的密封棱（14）嵌入陶瓷加熱器（8）的內部充滿硅膠的密封溝槽（13）內的方式密封連接；隔熱層（10）包裹在陶瓷加熱器（8）的外部；保護殼（7）套裝在隔熱層（10）外部；排風罩（17）安裝在石英缸（9）上面；自動蓋（27）安裝在排風罩（17）上。

2.如權利要求1?所述的一種用于LED芯片側壁腐蝕工藝的高溫強酸槽,其特征在于:?陶瓷加熱器（8）由加熱絲（12）嵌入陶瓷漿（11）整體開模燒結成型。

3.如權利要求1?所述的一種用于LED芯片側壁腐蝕工藝的高溫強酸槽,其特征在于:?陶瓷加熱器（8）的外側頂部有一圈承液板（15），它與石英缸(9)的密封棱（14）相連接，和保護殼側板（16）構成一個收集溢出凝結后酸液的容器。

4.如權利要求1?所述的一種用于LED芯片側壁腐蝕工藝的高溫強酸槽,其特征在于:?隔熱層（10）的成分為三氧化二鋁。

5.如權利要求1?所述的一種用于LED芯片側壁腐蝕工藝的高溫強酸槽,其特征在于:?保護殼（7）由氯化聚氯乙烯材料制作而成。

6.如權利要求1?所述的一種用于LED芯片側壁腐蝕工藝的高溫強酸槽,其特征在于:?排風罩（17）由聚四氟乙烯材料制作而成。

7.如權利要求1?所述的一種用于LED芯片側壁腐蝕工藝的高溫強酸槽,其特征在于:?排風罩（17）由蓋座板（6）、左內測板（17）、右內側板（18）、內前板（19）、外側板（20）和外端板（21）形成腔體。

8.如權利要求1?所述的一種用于LED芯片側壁腐蝕工藝的高溫強酸槽,其特征在于:?自動蓋（27）為兩扇折疊結構，由左右兩根軌道（2）、轉軸（5）、前蓋（3）和后蓋（4）組成，前蓋（3）和后蓋（4）通過合頁（24）連接,轉軸(5)旋轉驅動蓋的開關,并由左右兩根軌道(2)導向。

9.如權利要求8所述的一種用于LED芯片側壁腐蝕工藝的高溫強酸槽,其特征在于:?自動蓋（27）的前蓋（3）由前蓋框（22）內嵌石英板（23）而成。

10.如權利要求8所述的一種用于LED芯片側壁腐蝕工藝的高溫強酸槽,其特征在于:?自動蓋（27）的后蓋（4）由后蓋框（25）內嵌石英板（26）而成。