[發明專利]半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 201310217918.7 | 申請日： | 2013-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN103337474B | 公開（公告）日： | 2017-08-25 |
| 發明（設計）人： | 許丹 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
步驟一：提供一襯底；
步驟二：在所述襯底上依次沉積形成金屬層和第一介質層；
步驟三：刻蝕所述第一介質層和金屬層，形成金屬連線和金屬連線上的第一介質層圖案，暴露出部分襯底；
步驟四：在所述襯底和第一介質層圖案上沉積形成阻隔材料層；
步驟五：對所述阻隔材料層進行刻蝕，在相鄰的所述金屬連線之間形成至少一個阻隔體，所述阻隔體與相鄰的一條金屬連線之間的距離小于等于預定值；
步驟六：在所述襯底、第一介質層圖案和阻隔體上形成第二介質層，并在所述金屬連線和阻隔體之間和/或相鄰的阻隔體之間的第二介質層中形成間隙。
2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟四和步驟五之間還包括：對所述阻隔材料層進行化學機械研磨，使第一介質層圖案的表面暴露出來。
3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，相鄰的所述阻隔體之間的距離小于等于預定值。
4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬層的材料為銅或鋁。
5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一介質層、阻隔材料層和第二介質層的材料均為氮化硅。
6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述間隙為空氣間隙或者真空間隙。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
