[發明專利]一種改善金屬層-絕緣層-金屬層失配參數的方法無效
| 申請號： | 201310217872.9 | 申請日： | 2013-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN103295957A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發明（設計）人： | 胡友存;姬峰;李磊;陳玉文 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 金屬 絕緣 失配 參數 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善金屬層-絕緣層-金屬層失配參數的方法，其特征在于，所述方法包括：
執行步驟S1：對具有所述金屬銅填充的基底之上表面進行化學機械研磨，并在所述具有所述金屬銅填充的基底之上表面處淀積刻蝕阻擋層；
執行步驟S2：對位于所述器件區處的第一金屬銅上的刻蝕阻擋層進行光刻、刻蝕、清洗，直至暴露位于所述器件區處的第一金屬銅，以形成接觸區域；
執行步驟S3：在所述刻蝕阻擋層之異于所述基底的一側和所述接觸區域之異于所述基底的一側淀積第一氮化鉭；
執行步驟S4：對所述第一氮化鉭進行光刻、刻蝕、清洗；
執行步驟S5：在所述經過光刻、刻蝕、清洗后的第一氮化鉭之異于所述基底的一側淀積絕緣層，以形成由所述第一氮化鉭和所述絕緣層相鄰的第一接觸界面；
執行步驟S6：在所述絕緣層上淀積第二氮化鉭；
執行步驟S7：對所述第二氮化鉭進行光刻、刻蝕、清洗，直至去除位于所述互聯區處的第二氮化鉭和絕緣層，以在所述器件區處形成由所述第二氮化鉭和所述絕緣層相鄰的第二接觸界面；
執行步驟S8：在所述器件區和所述互連區處實現銅互連。
2.如權利要求1所述的改善金屬層-絕緣層-金屬層失配參數的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層為氮化硅或者碳化硅的其中之一。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
