[發(fā)明專(zhuān)利]改善金屬層-絕緣介質(zhì)層-金屬層失配參數(shù)的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310217820.1
• 申請(qǐng)日: 2013-06-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103311181A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡友存;姬峰;李磊;陳玉文
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種改善金屬層-絕緣介質(zhì)層-金屬層失配參數(shù)的方法，其特征在于，所述方法包括：

執(zhí)行步驟S1：對(duì)具有所述金屬銅填充的基底之上表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，并在所述具有所述金屬銅填充的基底之上表面處淀積刻蝕阻擋層；

執(zhí)行步驟S2：對(duì)位于所述器件區(qū)處的第一金屬銅上的刻蝕阻擋層進(jìn)行光刻、刻蝕、清洗，直至暴露位于所述器件區(qū)處的第一金屬銅，以形成接觸區(qū)域；

執(zhí)行步驟S3：在所述刻蝕阻擋層之異于所述基底的一側(cè)和所述接觸區(qū)域之異于所述基底的一側(cè)淀積第一氮化鉭；

執(zhí)行步驟S4：對(duì)所述第一氮化鉭進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨；

執(zhí)行步驟S5：在所述經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨后的第一氮化鉭之異于所述基底的一側(cè)淀積絕緣介質(zhì)層，以形成由所述第一氮化鉭和所述絕緣介質(zhì)層相鄰的第一接觸界面；

執(zhí)行步驟S6：在所述絕緣介質(zhì)層上淀積第二氮化鉭；

執(zhí)行步驟S7：對(duì)所述第二氮化鉭進(jìn)行光刻、刻蝕、清洗，直至去除位于所述互聯(lián)區(qū)處的第二氮化鉭和絕緣介質(zhì)層，以在所述器件區(qū)處形成由所述第二氮化鉭和所述絕緣介質(zhì)層相鄰的第二接觸界面；

執(zhí)行步驟S8：在所述器件區(qū)和所述互連區(qū)處實(shí)現(xiàn)銅互連。

2.如權(quán)利要求1所述的改善金屬層-絕緣介質(zhì)層-金屬層失配參數(shù)的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層為氮化硅或者碳化硅的其中之一。