[發(fā)明專利]一種生長高介電常數(shù)電介質(zhì)疊層的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310217735.5
• 申請(qǐng)日: 2013-06-03
• 公開（公告）號(hào): CN103311120A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙威;劉洪剛;孫兵;常虎東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L21/316
• 分類號(hào): H01L21/316;H01L21/318
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種生長高介電常數(shù)電介質(zhì)疊層的方法，其特征在于，包括：

采用熱模式原子層沉積方法在襯底上生長第一層高介電常數(shù)電介質(zhì)；

采用等離子增強(qiáng)模式原子層沉積方法在第一層高介電常數(shù)電介質(zhì)上生長第二層高介電常數(shù)電介質(zhì)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長高介電常數(shù)電介質(zhì)疊層的方法，其特征在于，所述襯底是IV族材料、III-V族化合物半導(dǎo)體材料或II-VI族化合物半導(dǎo)體材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長高介電常數(shù)電介質(zhì)疊層的方法，其特征在于，所述采用熱模式原子層沉積方法在襯底上生長第一層高介電常數(shù)電介質(zhì)的步驟中，反應(yīng)腔真空度為0.5mbar至4mbar，反應(yīng)腔溫度為200℃至450℃，熱源溫度為25℃至300℃，液態(tài)源溫度為15℃至25℃，氣體脈沖時(shí)長為10毫秒至10秒。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長高介電常數(shù)電介質(zhì)疊層的方法，其特征在于，所述采用熱模式原子層沉積方法在襯底上生長第一層高介電常數(shù)電介質(zhì)的步驟中，第一層高介電常數(shù)電介質(zhì)是Al、Hf、La、Si、Ti、Ta、Y、Zr的氧化物或多元氧合物，或者是Al、La、Si的氮化物或Al、Hf、Si的氮氧化物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長高介電常數(shù)電介質(zhì)疊層的方法，其特征在于，所述采用等離子增強(qiáng)模式原子層沉積方法在第一層高介電常數(shù)電介質(zhì)上生長第二層高介電常數(shù)電介質(zhì)的步驟中，反應(yīng)腔真空度為0.5mbar至4mbar，反應(yīng)腔溫度為150℃至300℃，，熱源溫度為15℃至300℃，氣體脈沖時(shí)長為10毫秒至10秒，射頻功率為5W至500W。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長高介電常數(shù)電介質(zhì)疊層的方法，其特征在于，所述采用等離子增強(qiáng)模式原子層沉積方法在第一層高介電常數(shù)電介質(zhì)上生長第二層高介電常數(shù)電介質(zhì)的步驟中，第二層高介電常數(shù)電介質(zhì)是Al、Hf、La、Si、Ti、Ta、Y、Zr的氧化物或多元氧合物，或者是Al、La、Si的氮化物或Al、Hf、Si的氮氧化物。