[發(fā)明專利]有機(jī)材料、發(fā)光元件、發(fā)光裝置、電子設(shè)備以及照明裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310217725.1
• 申請(qǐng)日: 2013-05-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103456899B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井上英子;北野靖;濱田孝夫;瀨尾哲史;鈴木宏記;久保田朋廣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54;C07D409/10;C09K11/06
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所11038
• 代理人: 李英

1.一種發(fā)光元件的制造方法，包括以下步驟：

形成第一電極；

形成第二電極；以及

在所述第一電極與所述第二電極之間形成包含有機(jī)化合物的EL層，

其中所述有機(jī)化合物通過(guò)將芳基鹵化物與芳基硼酸或芳基硼酸酯偶合來(lái)制備，

并且在所述偶合之前通過(guò)使用多元醇的處理來(lái)對(duì)所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯進(jìn)行精制。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，其中所述多元醇是山梨醇。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，

其中通過(guò)進(jìn)行所述精制來(lái)將雜質(zhì)的濃度降低到1％以下，

所述雜質(zhì)是除了第一雜質(zhì)及第二雜質(zhì)以外的雜質(zhì)，

所述第一雜質(zhì)是通過(guò)用氫取代所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯的氧硼基來(lái)得到的芳烴，

并且所述第二雜質(zhì)具有比所述第一雜質(zhì)大16或17的分子量。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，其中所述EL層包括多個(gè)層。

5.一種有機(jī)化合物的制造方法，包括以下步驟：

通過(guò)使用多元醇的處理來(lái)對(duì)芳基硼酸或芳基硼酸酯進(jìn)行精制；以及

將芳基鹵化物與所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯偶合，

其中所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯由通式(G2)表示，

其中Ar²表示取代或未取代的具有6至13個(gè)碳原子的芳基，

R¹及R²各自表示氫和具有1至6個(gè)碳原子的烷基中的任一個(gè)，

并且所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯具有100至1000的分子量。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)化合物的制造方法，其中所述多元醇是山梨醇。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)化合物的制造方法，

其中通過(guò)進(jìn)行所述精制來(lái)將雜質(zhì)的濃度降低到1％以下，

所述雜質(zhì)是除了第一雜質(zhì)及第二雜質(zhì)以外的雜質(zhì)，

所述第一雜質(zhì)是通過(guò)用氫取代所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯的氧硼基來(lái)得到的芳烴，

并且所述第二雜質(zhì)具有比所述第一雜質(zhì)大16或17的分子量。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)化合物的制造方法，其中所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯是具有取代基的苯基硼酸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)化合物的制造方法，其中所述取代基的骨架包括稠芳雜環(huán)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)化合物的制造方法，其中所述稠芳雜環(huán)是二苯并噻吩環(huán)或二苯并呋喃環(huán)。

11.一種發(fā)光元件的制造方法，包括以下步驟：

形成第一電極；

形成第二電極；以及

在所述第一電極與所述第二電極之間形成包含有機(jī)化合物的EL層，

其中所述有機(jī)化合物通過(guò)將芳基鹵化物與芳基硼酸或芳基硼酸酯偶合來(lái)制備，

在所述偶合之前降低所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯中的雜質(zhì)的濃度，

所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯由通式(G2)表示，

Ar²表示取代或未取代的具有6至13個(gè)碳原子的芳基，

R¹及R²各自表示氫和具有1至6個(gè)碳原子的烷基中的任一個(gè)，

并且所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯具有100至1000的分子量。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光元件的制造方法，

其中將所述雜質(zhì)的濃度降低到1％以下，

所述雜質(zhì)是除了第一雜質(zhì)及第二雜質(zhì)以外的雜質(zhì)，

所述第一雜質(zhì)是通過(guò)用氫取代所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯的氧硼基來(lái)得到的芳烴，

并且所述第二雜質(zhì)具有比所述第一雜質(zhì)大16或17的分子量。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光元件的制造方法，其中所述EL層包括多個(gè)層。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光元件的制造方法，其中所述芳基硼酸或所述芳基硼酸酯是具有取代基的苯基硼酸。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件的制造方法，其中所述取代基的骨架包括稠芳雜環(huán)。