[發(fā)明專利]自對準(zhǔn)環(huán)繞結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310217498.2 | 申請日： | 2013-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN104143505B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 讓-皮埃爾·科林格;江國誠;郭大鵬;卡洛斯·H.·迪亞茲 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孫征 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 對準(zhǔn) 環(huán)繞 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種制造自對準(zhǔn)的垂直圍柵器件的方法，包括：
環(huán)繞半導(dǎo)體柱從柵極層伸出的暴露部分形成間隔件；
在所述柵極層的被保護(hù)部分和所述間隔件的第一部分上方形成光刻膠；
蝕刻掉所述柵極層設(shè)置在由所述間隔件和所述光刻膠共同限定的邊界的外部的未被保護(hù)部分以形成具有底腳部分和非底腳部分的柵極，所述非底腳部分和所述底腳部分共同環(huán)繞所述半導(dǎo)體柱；以及
去除所述光刻膠和所述間隔件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述間隔件是硬掩模間隔件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體柱是垂直柱，并且所述柵極層是水平柵極層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述柵極層是金屬柵極層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述間隔件具有至少部分為弧形的間隔件邊界。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述間隔件被形成為環(huán)形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：在氧化物層和半導(dǎo)體層上方形成所述柵極層。
8.一種制造自對準(zhǔn)的垂直圍柵器件的方法，包括：
在半導(dǎo)體柱的初始暴露部分的周圍以及初始氧化物層上方沉積柵極層；
在所述柵極層上方形成附加氧化物層并且平坦化所述附加氧化物層；
實(shí)施回蝕工藝，以使所述附加氧化物層和柵極層環(huán)繞所述半導(dǎo)體柱的初始暴露部分的一部分凹進(jìn)；
環(huán)繞保持環(huán)繞所述半導(dǎo)體柱的初始暴露部分的所述柵極層以及所述半導(dǎo)體柱的隨后暴露部分形成間隔件；
在所述柵極層的被保護(hù)部分和所述間隔件的第一部分上方形成光刻膠；
蝕刻掉柵極層設(shè)置在由所述間隔件和所述光刻膠共同限定的邊界的外部的未被保護(hù)部分以形成具有底腳部分和非底腳部分的柵極，所述底腳部分和所述非底腳部分共同環(huán)繞所述半導(dǎo)體柱；以及
去除所述光刻膠和所述間隔件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括：使用化學(xué)機(jī)械拋光工藝平坦化所述附加氧化物層。
10.一種垂直圍柵晶體管，包括：
氧化物層，設(shè)置在半導(dǎo)體層上方；
半導(dǎo)體柱，從所述氧化物層中伸出；以及
柵極，設(shè)置在所述氧化物層上方，所述柵極具有共同環(huán)繞所述半導(dǎo)體柱的底腳部分和非底腳部分。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 對準(zhǔn)標(biāo)記,對準(zhǔn)方法和對準(zhǔn)系統(tǒng)
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