[發明專利]石墨加熱器、石墨電極和降低硅片中碳含量的方法無效
| 申請號： | 201310216777.7 | 申請日： | 2013-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN103255469A | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發明（設計）人： | 潘家明 | 申請（專利權）人： | 英利能源（中國）有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 吳貴明;張永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨 加熱器 石墨電極 降低 硅片 含量 方法 | ||
1.一種石墨加熱器，其特征在于，包括石墨加熱器本體和設置在所述石墨加熱器本體的表層的將所述石墨加熱器本體與外界隔離開的隔離層。
2.根據權利要求1所述的石墨加熱器，其特征在于，所述隔離層由在溫度高于硅的沸點時不與二氧化硅反應的材料構成。
3.根據權利要求1或2所述的石墨加熱器，其特征在于，所述隔離層是通過電鍍的方式鍍在所述石墨加熱器本體上的電鍍層。
4.根據權利要求3所述的石墨加熱器，其特征在于，所述隔離層為鉬層。
5.根據權利要求1或2所述的石墨加熱器，其特征在于，所述隔離層通過鉬箔裹覆在所述石墨加熱器本體表面形成。
6.根據權利要求1或2所述的石墨加熱器，其特征在于，所述隔離層的厚度為0.001mm至2mm。
7.一種石墨電極，其特征在于，包括石墨電極本體和設置在所述石墨電極本體的表層的將所述石墨電極本體與外界隔離開的隔離層。
8.一種降低硅片中碳含量的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1：在制作硅片的石墨加熱器本體和石墨電極本體的表層設置有將所述石墨加熱器本體和所述石墨電極本體與外界隔離開的隔離層；
步驟S2：將帶有所述隔離層的石墨加熱器和石墨電極安裝在單晶爐內；
步驟S3：調節所述石墨加熱器的功率，對石英堝內的硅料加熱。
9.根據權利要求8所述的降低硅片中碳含量的方法，其特征在于，所述隔離層由在溫度高于硅的沸點時不與二氧化硅反應的材料構成。
10.根據權利要求8或9所述的降低硅片中碳含量的方法，其特征在于，所述隔離層是通過電鍍的方式鍍在所述石墨加熱器本體上的電鍍層。
11.根據權利要求8或9所述的降低硅片中碳含量的方法，其特征在于，所述隔離層通過鉬箔裹覆在所述石墨加熱器本體表面形成。
12.根據權利要求11所述的降低硅片中碳含量的方法，其特征在于，形成所述隔離層之后，對所述鉬箔表層進行粗糙化處理。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英利能源（中國）有限公司，未經英利能源（中國）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310216777.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：固定夾具
- 下一篇：花球狀納米硼酸鎳的制備方法
