[發(fā)明專利]一種非制冷紅外焦平面陣列的非均勻性校正方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310216422.8 | 申請日： | 2013-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN103308178A | 公開（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭興;李宵;馬宣;章翔;劉子驥 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G01J5/00 | 分類號： | G01J5/00 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 譚新民 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制冷 紅外 平面 陣列 均勻 校正 方法 | ||
1.一種非制冷紅外焦平面陣列的非均勻性校正方法，其特征在于，包括：
步驟A：計算紅外焦平面陣列在至少兩個標定工作溫度下的校正參數(shù)，并將所述校正參數(shù)存儲在存儲器中；
步驟B：測量所述紅外焦平面陣列的襯底溫度；
步驟C：根據(jù)所述襯底溫度，從所述存儲器中獲取與所述襯底溫度相對應的當前校正參數(shù)；
步驟D：用所述紅外焦平面陣列對目標物體進行紅外成像，獲取紅外圖像；
步驟E：用所述當前校正參數(shù)對所述紅外圖像進行校正。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟A包括：
將紅外成像系統(tǒng)放置在恒溫箱中；
調(diào)節(jié)所述恒溫箱的溫度到第一標定工作溫度并保持在所述第一標定工作溫度；
用兩點校正法計算所述紅外成像系統(tǒng)的所述紅外焦平面陣列在所述第一標定工作溫度下的第一校正參數(shù)；
將所述第一校正參數(shù)存儲在所述存儲器中；
調(diào)節(jié)所述恒溫箱的溫度到第二標定工作溫度并保持在所述第二標定工作溫度；
用兩點校正法計算所述紅外焦平面陣列在所述第二標定工作溫度下的第二校正參數(shù)；
將所述第二校正參數(shù)存儲在所述存儲器中。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟A還包括：
調(diào)節(jié)所述恒溫箱的溫度到第三標定工作溫度并保持在所述第三標定工作溫度；
用兩點校正法計算所述紅外焦平面陣列在所述第三標定工作溫度下的第三校正參數(shù)；
將所述第三校正參數(shù)存儲在所述存儲器中。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟C包括：
比較所述襯底溫度與所述至少兩個標定工作溫度，獲得與所述襯底溫度相等或者與所述襯底溫度之間的差值最小的標定工作溫度作為對應工作溫度；
在所述存儲器中讀取所述對應工作溫度下的校正參數(shù)，以所述對應工作溫度下的校正參數(shù)為所述當前校正參數(shù)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟C包括：
比較所述襯底溫度與所述至少兩個標定工作溫度所屬的小溫度區(qū)間，判斷所述襯底溫度所屬的小溫度區(qū)間；
以所述襯底溫度所屬的小溫度區(qū)間的校正參數(shù)為所述當前校正參數(shù)。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述校正參數(shù)包括偏置參數(shù)和/或增益參數(shù)。
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