[發明專利]硅片激光退火設備的工件臺裝置在審
| 申請號： | 201310215266.3 | 申請日： | 2013-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN104217977A | 公開（公告）日： | 2014-12-17 |
| 發明（設計）人： | 童宇鋒;鄭剛;劉國淦 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司;上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 激光 退火 設備 工件 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.硅片激光退火設備的工件臺裝置，其特征在于，包括工件臺平面和三組以上接送柱，每組接送柱由兩個以上小接送柱組合而成；工件臺平面上對應小接送柱的位置開孔，作為小接送柱的升降通道。
2.根據權利要求1所述的工件臺裝置，其特征在于，每組接送柱包括有5個小接送柱。
3.根據權利要求1或2所述的工件臺裝置，其特征在于，所述小接送柱的直徑為1～10mm。
4.根據權利要求1所述的工件臺裝置，其特征在于，所述小接送柱的材質為非金屬。
5.根據權利要求1所述的工件臺裝置，其特征在于，三組接送柱位置對稱。
6.根據權利要求1或5所述的工件臺裝置，其特征在于，采用8寸工件臺時，每組接送柱中心距離工件臺中心10～1000mm；采用12寸工件臺時，每組接送柱中心距離工件臺中心25mm～1500mm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
