[發明專利]一種上轉換太陽能電池及其制備方法無效
| 申請號: | 201310215219.9 | 申請日: | 2013-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN103346203A | 公開(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發明(設計)人: | 石強;李旺;陸威;韓瑋智;牛新偉;蔣前哨;金建波;陸川;仇展煒 | 申請(專利權)人: | 浙江正泰太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/055 |
| 代理公司: | 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 馮譜 |
| 地址: | 310053 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 轉換 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種上轉換太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
a)在硅片的正面形成絨面;
b)在所述硅片正面形成P-N結;
c)在所述P-N結上形成減反膜;
d)在所述硅片背面形成背電極/上轉換器系統;
e)在所述硅片正面形成正電極。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟d)具體為:在所述硅片背面印刷導電漿料,之后對所述硅片進行燒結以在所述硅片背面形成背電極/上轉換器系統。
3.根據權利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述導電漿料包括:金屬顆粒、無機玻璃料、有機載體和上轉換材料。
4.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述上轉換材料包括稀土離子或非稀土材料中的一種或多種的組合。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述稀土離子包括:Er3+、Yb3+、Tm3+、Pr3+和/或Ho3+;所述非稀土材料包括ZnS。
6.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于,在所述導電漿料中,所述金屬顆粒的質量分數為45%~75%。
7.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于,在所述導電漿料中,所述無機玻璃料的質量分數為2%~15%。
8.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于,在所述導電漿料中,所述有機載體的質量分數為10%~40%。
9.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于,在所述導電漿料中,所述上轉換材料的質量分數為0.01%~10%。
10.一種上轉換太陽能電池,所述上轉換太陽能電池由下至上依次包括:背電極/上轉換器系統、硅片、P-N結、絨面、減反膜、正電極;其特征在于,
所述背電極/上轉換器系統由含有金屬顆粒、無機玻璃料、有機載體和上轉換材料的導電漿料制成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江正泰太陽能科技有限公司,未經浙江正泰太陽能科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310215219.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





