[發明專利]低霧度透明導電電極

有效

• 申請號: 201310215192.3
• 申請日: 2013-06-01
• 公開（公告）號: CN103383869B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發明（設計）人: 潘克菲
• 申請（專利權）人: 蘇州諾菲納米科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;G06F3/041
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種透明導電薄膜，包括：

基板；

透明導電層，其包括具有超過一個特有直徑尺寸在10納米至1微米之間的金屬納米線網格；及

各向同性層，其包括與金屬納米線網格形成接觸的分散材料；

其中，透明導電電極薄膜具有大于1H的鉛筆硬度。

2.如權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：其中各向同性層及透明導電層大致為相同的層，沒有顯著的層分界面。

3.如權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：其中各向同性層與透明導電層具有至少一個顯著的層分界面。

4.如權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：其中各向同性層包含折射率匹配材料。

5.如權利要求4所述的透明導電薄膜，其特征在于：其中折射率匹配材料的折射率介于1.1-1.5之間。

6.如權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：其中導電電極的厚度小于200納米。

7.如權利要求4所述的透明導電薄膜，其特征在于：其中導電電極的厚度大于100納米。

8.如權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：其霧度小于2%。

9.如權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：其霧度小于1%。

10.如權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：在波長介于400-1000納米之間，其光線透光率大于80%。

11.如權利要求10所述的透明導電薄膜，其特征在于：在波長介于400-800納米之間，其光線透光率大于90%。

12.如權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：其表面電阻小于100歐/平方。

13.如權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：其表面粗糙度小于50納米。

14.如權利要求9所述的透明導電薄膜，其特征在于：其中納米線的線徑比至少為500:1。

15.如權利要求9所述的透明導電薄膜，其特征在于：其中納米線的線長至少為50-100微米。

16.如權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：其中件的折射率介于1.2-2.25之間。

17.如權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：其鉛筆硬度大于3H。

18.如權利要求4所述的透明導電薄膜，其特征在于：其中折射率匹配層包含導電材料、半導體材料或非導電材料。

19.一種觸摸屏設備，其包括：

透明導電電極，其包括：

基板；

透明導電層，其包括沉積于基板之上的金屬納米線；

各向同性層，其包括位于基板之上的有機或無機材料；

其中，透明導電電極薄膜的鉛筆硬度大于1H。

20.如權利要求19所述的觸摸屏設備，其特征在于：其中導電電極的霧度小于2%。