[發明專利]基于摻銩光纖激光器四倍頻的藍光激光產生方法與裝置有效
| 申請號: | 201310214650.1 | 申請日: | 2013-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN103311782A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 陶蒙蒙;陳紹武;易愛平;于力;王振寶;楊鵬翎;葉錫生 | 申請(專利權)人: | 西北核技術研究所 |
| 主分類號: | H01S3/067 | 分類號: | H01S3/067;H01S3/109 |
| 代理公司: | 西安文盛專利代理有限公司 61100 | 代理人: | 李中群 |
| 地址: | 710024 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 光纖 激光器 倍頻 激光 產生 方法 裝置 | ||
1.基于摻銩光纖激光器四倍頻的藍光激光產生方法,其特征在于,包括以下步驟:
[1]利用793nm半導體激光器泵浦摻銩光纖,獲得1.8μm~2μm激光輸出;
[2]1.8μm~2μm激光經一級倍頻,得到0.9μm~1μm激光輸出;
[3]0.9μm~1μm激光經二級倍頻,得到450nm~500nm藍光激光輸出。
2.基于摻銩光纖激光器四倍頻的藍光激光產生裝置,其特征在于:包括摻銩光纖激光器單元(A1)、一級倍頻單元(A2)和二級倍頻單元(A3);摻銩光纖激光器單元(A1)輸出光經過一級倍頻單元(A2)和二級倍頻單元(A3)倍頻后,產生藍光激光輸出;
所述的摻銩光纖激光器單元(A1)包括摻銩增益光纖(4)、泵浦合束器(2)、高反光纖光柵(3)、低反光纖光柵(5)和若干只半導體泵浦源(1);摻銩增益光纖(4)輸入端連接有高反射光纖光柵(3),輸出端連接有低反射光纖光柵(5),所述若干只半導體泵浦源(1)通過泵浦合束器(2)與高反射光纖光柵(3)連接;
所述的一級倍頻單元(A2)包括一級倍頻晶體(8)和一級濾光片(10);摻銩光纖激光器單元(A1)輸出光入射到一級倍頻晶體(8),產生的一級倍頻光透過一級濾光片(10)傳輸至二級倍頻單元(A3);
所述的二級倍頻單元(A3)包括二級倍頻晶體(12)和二級濾光片(14);一級倍頻光入射至二級倍頻晶體(12)倍頻后入射到二級濾光片(14),藍光激光透過二級濾光片(14)輸出。
3.基于摻銩光纖激光器四倍頻的藍光激光產生裝置,其特征在于:包括摻銩光纖激光器單元(B1)、一級倍頻單元(B2)和二級倍頻單元(B3);摻銩光纖激光器單元(B1)輸出光經過一級倍頻單元(B2)和二級倍頻單元(B3)倍頻后,產生藍光激光輸出;
所述的摻銩光纖激光器單元(B1)包括摻銩增益光纖(4)、泵浦合束器(2)、高反光纖光柵(3)和若干只半導體泵浦源(1);所述摻銩增益光纖(4)輸入端連接有高反射光纖光柵(3),輸出端設置有與光纖軸線呈8~10°的切角;所述若干只半導體泵浦源(1)通過泵浦合束器(2)與高反射光纖光柵(3)連接;
所述的一級倍頻單元(B2)包括在出射光軸(20)上布置的凹面雙色鏡(7)、高反凹面鏡(11)和一級倍頻晶體(8),所述的一級倍頻晶體(8)布置在凹面雙色鏡(7)和高反凹面鏡(11)之間,所述的摻銩增益光纖(4)的輸出端設置有與光纖軸線呈8~10°的切角,其輸出光線與出射光軸(20)的呈30~60°夾角,摻銩增益光纖(4)輸出信號光在凹面雙色鏡(7)、高反凹面鏡(11)和摻銩增益光纖(4)之間振蕩后,經凹面雙色鏡(7)輸出至二級倍頻單元(B2);
所述的二級倍頻單元(B3)包括二級倍頻晶體(12)和二級濾光片(14);一級倍頻光入射至二級倍頻晶體(12)倍頻后入射到二級濾光片(14),藍光激光透過二級濾光片(14)輸出。
4.根據權利要求2所述的基于摻銩光纖激光器四倍頻的藍光激光產生裝置,其特征在于:所述的摻銩增益光纖(4)為雙包層光纖;所述一級倍頻晶體(8)的前、后端設置有準直透鏡(6、9);所述的二級倍頻晶體(12)的后端設置有準直透鏡(13)。
5.根據權利要求2所述的基于摻銩光纖激光器四倍頻的藍光激光產生裝置,其特征在于:所述的一級濾光片對1.8μm~2μm波段的光高透射、對0.9μm~1μm波段的光高反射;二級濾光片對0.9μm~1μm波段的光高反射、對450nm~500nm波段的光高透射;所述的高反射光纖光柵(3)對1.8μm~2μm激光的反射率>95%;低反射光纖光柵(5)對1.8μm~2μm激光的反射率<10%。
6.根據權利要求2所述的基于摻銩光纖激光器四倍頻的藍光激光產生裝置,其特征在于:所述的一級倍頻晶體為PPLN晶體或LBO晶體;二級倍頻晶體為LBO晶體、BBO晶體或BIBO晶體等。
7.根據權利要求3所述的基于摻銩光纖激光器四倍頻的藍光激光產生裝置,其特征在于:所述的摻銩增益光纖(4)為雙包層光纖;所述一級倍頻晶體(8)的前、后端設置有準直透鏡(6、9);所述的二級倍頻晶體(12)的后端設置有準直透鏡(13)。
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