[發明專利]一種晶體硅太陽能電池的制備方法

無效

• 申請號: 201310214626.8
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN103311367A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 劉石勇;牛新偉;楊德仁;韓瑋智;蔣前哨;金建波;陸川;仇展煒
• 申請（專利權）人: 浙江正泰太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 馮譜

1.一種晶體硅太陽能電池的制備方法，所述方法包括如下步驟：

a）在P型硅片的正面形成絨面；

b）在所述P型硅片正面形成P-N結；

c）在所述P-N結上形成金屬層；

d）在所述金屬層上形成減反層；

e）在所述P型硅片背面形成背電極/鋁背場；

f）在所述P型硅片正面形成正電極；

其特征在于，所述金屬層與N型層之間形成的勢壘高度小于所述正電極與所述N型層之間形成的勢壘高度。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟c）中，采用熱蒸發、磁控濺射或電鍍方法在所述P型硅片正面形成所述金屬層。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層中的金屬包括：鎂、鈦、鉿或銫。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層的厚度范圍為2nm～20nm。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述減反層的厚度范圍為50nm～80nm。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述P型硅片為單晶硅、多晶硅或準單晶硅。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟b）中，采用擴散法或離子注入法在所述P型硅片正面形成P-N結。

8.一種晶體硅太陽能電池，所述晶體硅太陽能電池由下至上依次包括：背電極/鋁背場、P型硅片、P-N結、金屬層、減反層和前電極；其特征在于，

所述金屬層與N型層之間形成的勢壘高度小于所述正電極與所述N型層之間形成的勢壘高度。

9.一種晶體硅太陽能電池的制備方法，所述方法包括如下步驟：

a）在N型硅片的正面形成絨面；

b）在所述N型硅片正面形成N-P結；

c）在所述N-P結上形成金屬層；

d）在所述金屬層上形成減反層；

e）在所述N型硅片背面形成背電極/鋁背場；

f）在所述N型硅片正面形成正電極；

其特征在于，所述金屬層與P型層之間形成的勢壘高度小于所述正電極與所述P型層之間形成的勢壘高度。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟c）中，采用熱蒸發、磁控濺射或電鍍方法在所述N型硅片正面形成所述金屬層。

11.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層中的金屬包括：鎂、鈦、鉿或銫。

12.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層的厚度范圍為2nm～20nm。

13.一種晶體硅太陽能電池，所述晶體硅太陽能電池由下至上依次包括：背電極/鋁背場、N型硅片、N-P結、金屬層、減反層和前電極；其特征在于，

所述金屬層與P型層之間形成的勢壘高度小于所述正電極與所述P型層之間形成的勢壘高度。