[發明專利]單像素結構，包括其的數字微鏡器件以及它們的制備方法

有效

• 申請號: 201310214576.3
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN104216107B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 葉菲;周強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G02B26/08
• 分類號: G02B26/08
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 吳貴明,張永明

1.一種單像素結構，其特征在于，包括：

襯底，

第一導電組件，設置在所述襯底上，包括左導電部和右導電部；

反射鏡，通過設置在所述襯底或所述第一導電組件上的支撐結構懸空地設置在所述第一導電組件上方，所述反射鏡包括反射部和與所述反射部垂直設置的驅動部，所述驅動部部分延伸至所述左導電部和右導電部之間；

常態下，所述驅動部處于與所述襯底上表面垂直的狀態，且與所述左導電部和右導電部不接觸；所述左導電部與所述驅動部施加電性相反的電壓時，所述驅動部向所述左導電部偏轉；所述右導電部與驅動部施加電性相反的電壓時，所述驅動部向所述右導電部偏轉。

2.根據權利要求1所述的單像素結構，其特征在于，所述單像素結構還包括設置在所述襯底上的第一絕緣層，所述第一絕緣層上形成有凹槽，所述第一導電組件設置在所述凹槽內。

3.根據權利要求1所述的單像素結構，其特征在于，所述左導電部和右導電部面向所述驅動部的一側具有第二絕緣層，常態下，所述驅動部與所述第二絕緣層不接觸。

4.根據權利要求3所述的單像素結構，其特征在于，所述單像素結構還包括所述第二導電組件，所述第二導電組件設置在所述第一絕緣層上，且與所述反射部電連接。

5.根據權利要求4所述的單像素結構，其特征在于，所述第二導電組件包括前導電部和后導電部，所述前導電部和后導電部設置在所述反射部的兩側，作為所述支撐結構支撐所述反射鏡，且所述前導電部和后導電部之間的連線垂直于所述左導電部和右導電部之間的連線。

6.根據權利要求4所述的單像素結構，其特征在于，所述前導電部和后導電部的高度設置為所述驅動部偏轉與第二絕緣層相接觸時，所述反射部不與所述第一絕緣層的上表面相接觸。

7.根據權利要求4所述的單像素結構，其特征在于，所述前導電部和后導電部與所述反射部之間分別通過支撐梁連接。

8.根據權利要求7所述的單像素結構，其特征在于，所述反射部、所述驅動部和所述支撐梁一體成型。

9.根據權利要求4所述的單像素結構，其特征在于，所述驅動部在平行于所述襯底的平面內的截面為矩形截面，所述矩形截面的長邊平行于所述前導電部和后導電部之間的連線，矩形截面的短邊平行于所述左導電部和右導電部之間的連線。

10.一種數字微鏡芯片，包括一組或多組單像素結構，其特征在于，各組單像素結構包括權利要求1至9中任一項所述的單像素結構。

11.一種單像素結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底，在所述襯底上形成包括左導電部和右導電部的第一導電組件；

沉積犧牲材料，形成位于所述左導電部和右導電部上的第一犧牲部和位于所述左導電部和右導電部之間的第二犧牲部；

刻蝕所述第二犧牲部，在所述第二犧牲部內部形成驅動部形成槽；

刻蝕穿透所述第一犧牲部或第二犧牲部形成支撐結構形成槽；

沉積支撐材料，在所述支撐結構形成槽中形成支撐結構；

沉積導電反光材料，形成位于所述第一犧牲部和所述支撐結構上方的導電反光材料層和位于所述驅動部形成槽中驅動部；

在所述導電反光材料層上設置掩膜，所述掩膜至少部分覆蓋在所述支撐結構的上方；

刻蝕所述導電反光材料層形成反射部；

去除所述掩膜、所述第一犧牲部和第二犧牲部，形成所述單像素結構。

12.根據權利要求11所述的制備方法，其特征在于，在沉積所述犧牲材料前，還包括在所述左導電部和右導電部的相對表面上形成第二絕緣層的步驟。