[發(fā)明專(zhuān)利]一種水熱合成厚度可調(diào)的硫化銻微納米片陣列的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310214570.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-05-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103274466A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳燦;梁玉潔;包海峰 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 杭州師范大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C01G30/00 | 分類(lèi)號(hào)： | C01G30/00 |
| 代理公司： | 杭州天正專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 33201 | 代理人： | 黃美娟;冷紅梅 |
| 地址： | 310036 浙江*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 合成 厚度 可調(diào) 硫化銻 納米 陣列 方法 | ||
1.一種水熱合成厚度可調(diào)的硫化銻微納米片陣列的方法，所述方法包括:以鉍鹽為Bi源，以巰基化合物為S源，以水為溶劑，以二水合檸檬酸鈉和乙二胺為配體，在反應(yīng)體系中放置厚度均勻的鎢片作為生長(zhǎng)基底，于140～200℃下進(jìn)行反應(yīng)8～24個(gè)小時(shí)，通過(guò)改變配體乙二胺與水的用量比，在基底上得到相應(yīng)不同厚度的硫化銻微納米片陣列；其中，Bi源、S源、二水合檸檬酸鈉的物質(zhì)的量之比2：3～4：8～10，乙二胺與水體積之比為12～24%：76～88%。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的所述巰基化合物為下列之一：巰基琥珀酸，L-半胱氨酸，巰基乙酸，巰基丙酸，半胱氨酸，巰基丁酸或硫代甘油。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述巰基化合物為巰基琥珀酸。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的鉍鹽為酒石酸銻鉀或三氯化銻。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述反應(yīng)在180℃下進(jìn)行反應(yīng)時(shí)間16～24小時(shí)。
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