[發明專利]一種碳化硅微結構的制備方法

有效

• 申請號: 201310214526.5
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN103441063A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 司金海;馬云燦;陳濤;屈文成;陳烽;侯洵
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/306;B81C1/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 徐文權

1.一種碳化硅微結構的制備方法，其特征在于，在氣體環境中，利用飛秒激光輻照，通過掃描的方式，在碳化硅基片上誘導產生碳化硅基折射率變化結構，再通過氫氟酸和硝酸的混合液腐蝕，去除折射率變化區域，從而制備碳化硅微結構。

2.根據權利要求1所述的碳化硅微結構的制備方法，其特征在于，該方法具體按照以下步驟進行：

（1）選擇碳化硅晶片作為基片，依次在丙酮、酒精、去離子水中超聲清洗；

（2）在氣體環境中，利用飛秒激光輻照，通過掃描的方式，在碳化硅基片上誘導產生折射率變化結構；

（3）將飛秒激光輻照后的碳化硅基片，利用氫氟酸和硝酸的混合溶液進行化學濕法腐蝕，去除折射率變化區域；

（4）將氫氟酸和硝酸的混合液腐蝕后的碳化硅基片，分別在丙酮、酒精、去離子水中超聲清洗后，得到碳化硅微結構。

3.根據權利要求2所述的碳化硅微結構的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，碳化硅基片的晶體類型為任意晶向。

4.根據權利要求3所述的碳化硅微結構的制備方法，其特征在于，所述碳化硅基片的晶體類型為立方密排的3C-SiC或者六角密排的4H-SiC或6H-SiC。

5.根據權利要求3所述的碳化硅微結構的制備方法，其特征在于，所述碳化硅基片的晶體類型為如<0001>或<0010>。

6.根據權利要求2所述的碳化硅微結構的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述氣體環境中的氣體是空氣、N₂、O₂或SF₆。

7.根據權利要求2所述的碳化硅微結構的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，飛秒激光誘導產生的折射率變化結構的深度、寬度和縱橫比，由飛秒激光功率、掃描速率、聚焦位置來調控；折射率變化的深度為300μm。

8.根據權利要求2所述的碳化硅微結構的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，所述氫氟酸和硝酸的混合溶液，兩種溶液的配比關系為：體積比計，40%的氫氟酸和65%的硝酸按體積比1:1到1:10之間的任意比混合。