[發明專利]低霧度透明導電電極

有效

• 申請號: 201310214517.6
• 申請日: 2013-06-01
• 公開（公告）號: CN103377756A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 潘克菲
• 申請（專利權）人: 蘇州諾菲納米科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;G06F3/041
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種低霧度透明導電電極薄膜，包括：

基板，其折射率為n_sub；

單透明導電層，其包括沉積于基板上部的金屬納米線；及

折射率匹配層，其包括折射率為n_in的各向異性層；

其中，n_in的值大于1并小于n_sub，且所述低霧度透明導電電極薄膜的硬度大于1H，波長為400-800納米之間時光線透光率大于80%，且其表面電阻小于350歐/平方。

2.如權利要求1所述的低霧度透明導電電極薄膜，其特征在于：其中n_in的值介于1.1至1.5之間。

3.如權利要求1所述的低霧度透明導電電極薄膜，其特征在于：其中n_sub的值為范圍1.2至2.25之間。

4.如權利要求1所述的低霧度透明導電電極薄膜，其特征在于：其中折射率匹配層的厚度為約100-200納米。

5.如權利要求1所述的低霧度透明導電電極薄膜，其特征在于：其中其中透明導電電極薄膜的硬度大于3H。

6.如權利要求1所述的低霧度透明導電電極薄膜，其特征在于：其中透明導電電極薄膜的霧度小于1.0。

7.如權利要求1所述的低霧度透明導電電極薄膜，其特征在于：其中表面電阻小于100歐/平方。

8.如權利要求1所述的低霧度透明導電電極薄膜，其特征在于：其中薄膜的表面粗糙度小于50納米。

9.如權利要求1所述的低霧度透明導電電極薄膜，其特征在于：其中薄膜的納米多孔表面的孔徑小于25納米。

10.如權利要求1所述的低霧度透明導電電極薄膜，其特征在于：其中折射率匹配層包含選自由金、銀、銅、鉑及鋁組成的組的一種或多種導電材料。

11.如權利要求1所述的低霧度透明導電電極薄膜，其特征在于：其中折射率匹配層包括選自由鉻、銦、錫、鋅及鎵的氧化物組成的組的一種或多種半導體材料。

12.如權利要求1所述的低霧度透明導電電極薄膜，其特征在于：其中折射率匹配層包括選自由二氧化硅、硅酸鹽、二氧化鈦、聚氨酯、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚乙烯醇（PVA）及聚硅酮組成的組中的一種或多種非導體材料。

13.如權利要求1所述的電極，其特征在于：其中基板為塑料薄膜，其由聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚碳酸酯、環-烯烴聚合物（COP）或環-烯烴共聚物（COC）、或其組合、或其共聚物構成。

14.如權利要求1所述的電極，其特征在于：其中單導電材料層包括導電或半導體金屬氧化物，其選自摻氟錫氧化物（FTO）、銦錫氧化物（ITO）、摻鋁鋅氧化物（AZO）、摻鎵鋅氧化物（GZO）、摻硼鋅氧化物（BZO）。

15.如權利要求1所述的電極，其特征在于：其中網格中納米線的線徑范圍為10納米至1微米。

16.如權利要求1所述的電極，其特征在于：其中網格中納米線的線徑范圍為10納米至50納米。

17.如權利要求1所述的電極，其特征在于：其中薄膜的硬度大于1H。

18.如權利要求1所述的電極，其特征在于：其中薄膜的表面粗糙度小于50納米。

19.如權利要求1所述的電極，其特征在于：其中金屬納米線包括銀納米線。