[發明專利]一種半導體激光器芯片歐姆接觸電極及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 201310214336.3
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN104218447B
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 劉青;湯慶敏;沈燕;任忠祥;徐現剛
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子股份有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;C23C14/24;C23C14/14
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司37219
• 代理人: 呂利敏

1.一種半導體激光器芯片歐姆接觸電極，包括在半導體激光器芯片上制備有歐姆接觸電極，所述的歐姆接觸電極包括由下而上依次制備的多種單質金屬層，在相鄰不同種類單質金屬層之間制備有含該相鄰兩種單質金屬的混合金屬層；在相鄰不同種類單質金屬層之間制備有含該相鄰兩種單質金屬的混合金屬層，所述混合金屬層中所含相鄰兩種單質金屬的體積比為1:(0.05～20)；

所述歐姆接觸電極的單質金屬層和混合金屬層的總層數為2N+1層，其中N≥1；

所述的半導體激光器芯片為GaAs半導體激光芯片，所述GaAs半導體激光芯片P面歐姆接觸電極由下而上依次為Ti金屬層、Ti/Pt混合金屬層、Pt金屬層、Pt/Au混合金屬層和Au金屬層；所述Ti金屬層的厚度范圍100埃-1000埃；所述Ti/Pt混合金屬層的厚度范圍100埃-1000埃；Pt金屬層厚度范圍200埃-3000埃；Pt/Au混合金屬層的厚度范圍200埃-1000埃；Au金屬層的厚度范圍500埃-20000埃；

或，所述GaAs半導體激光芯片P面歐姆接觸電極由下而上依次為Ti金屬層、Ti/Au混合金屬層和Au金屬層；所述Ti金屬層的厚度范圍100埃-1000埃；所述Ti/Au混合金屬層的厚度范圍100埃-1000埃；所述Au金屬層的厚度范圍1000埃-20000埃；

或，所述的半導體激光器芯片為GaAs半導體激光芯片，GaAs半導體激光芯片P面歐姆接觸電極由下而上依次為Ni金屬層、Ni/Au混合金屬層和Au金屬層；所述Ni金屬層厚度范圍100埃-1000埃；所述Ni/Au混合金屬層厚度范圍100埃-1000埃；所述Au金屬層厚度范圍1000埃-20000埃；

或所述GaAs半導體激光芯片P面歐姆接觸電極由下而上依次為Au金屬層、Au/Be混合金屬層、Be金屬層、Be/Au混合金屬層、和Au金屬層；所述Au金屬層厚度范圍100埃-200埃；所述Au/Be混合金屬層厚度范圍500埃-3000埃；所述Be金屬層厚度范圍50埃-1000埃；所述Be/Au混合金屬層厚度范圍50埃-1000埃；所述Au金屬層厚度范圍500埃-20000埃。

2.根據權利要求1所述的一種半導體激光器芯片歐姆接觸電極，其特征在于，所述的半導體激光器芯片為GaAs半導體激光芯片，GaAs半導體激光芯片P面歐姆接觸電極由下而上依次為Ni金屬層、Ni/Ag混合金屬層和Ag金屬層；所述Ni金屬層厚度范圍10埃-500埃；所述Ni/Ag混合金屬層厚度范圍10埃-1000埃；Ag金屬層厚度范圍500埃-5000埃。

3.根據權利要求1所述的一種半導體激光器芯片歐姆接觸電極，其特征在于，GaAs半導體激光器芯片N面歐姆接觸電極由下而上依次為Ge金屬層、Ge/Au混合金屬層、Au金屬層、Au/Ni混合金屬層、Ni金屬層、Ni/Au混合金屬層和Au金屬層；其中，所述Ge金屬層的厚度范圍50埃-500埃；所述Ge/Au混合金屬層的厚度范圍50埃-500埃；Au金屬層的厚度范圍100埃-1000埃；Au/Ni混合金屬層的厚度范圍50埃-300埃；Ni金屬層的厚度范圍100埃-1000埃；Ni/Au混合金屬層的厚度范圍50-埃100埃；Au金屬層的厚度范圍200埃-5000埃。

4.根據權利要求1所述的一種半導體激光器芯片歐姆接觸電極，其特征在于，所述的半導體激光器芯片為GaAs半導體激光芯片，GaAs半導體激光器芯片N面歐姆接觸電極由下而上依次為Ni金屬層、Ni/Au混合金屬層、Au金屬層、Au/Ge混合金屬層、Ge金屬層、Ge/Ni混合金屬層、Ni金屬層、Ni/Au混合金屬層和Au金屬層；其中所述Ni金屬層的厚度范圍10埃-100埃；Ni/Au混合金屬層的厚度范圍10埃-100埃；Au金屬層的厚度范圍200埃-800埃；Au/Ge混合金屬層的厚度范圍50埃-100埃；Ge金屬層的厚度范圍50埃-200埃；Ge/Ni混合金屬層的厚度范圍10埃-50埃；Ni金屬層的厚度范圍50埃-100埃；Ni/Au混合金屬層的厚度范圍10埃-200埃；Au金屬層的厚度范圍2000埃-5000埃。

5.根據權利要求1所述的一種半導體激光器芯片歐姆接觸電極，其特征在于，GaAs半導體激光器芯片N面歐姆接觸電極由下而上依次為Ti金屬層、Ti/Au混合金屬層和Au金屬層；所述Ti金屬層的厚度范圍100埃-1000埃；所述Ti/Au混合金屬層的厚度范圍100埃-1000埃；所述Au金屬層的厚度范圍1000埃-20000埃。