[發(fā)明專利]半導體設(shè)備制造中控制氣體輸入的方法及系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310214105.2 | 申請日： | 2013-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN104216423B | 公開（公告）日： | 2018-01-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王晶;付金生;馬平 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | G05D7/06 | 分類號： | G05D7/06 |
| 代理公司： | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司44224 | 代理人： | 陳振 |
| 地址： | 100176 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體設(shè)備 制造 控制 氣體 輸入 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種半導體設(shè)備制造中控制氣體輸入的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S100，根據(jù)半導體設(shè)備制造工藝任務(wù)job中的工藝表單Recipe中為半導體制造設(shè)備中的每路氣路所配置的每一工藝步驟step的預(yù)設(shè)氣路流量值，循環(huán)檢測出在前一次工藝步驟中前次氣路流量值不為0，且本次工藝步驟中氣路流量值相對于前一次工藝步驟中前次氣路流量值發(fā)生變化的氣路；
S200，根據(jù)本次工藝步驟的預(yù)設(shè)氣路流量值，設(shè)置所述在前一次工藝步驟中前次氣路流量值不為0，且本次工藝步驟中氣路流量值相對于前一次工藝步驟中前次氣路流量值發(fā)生變化的氣路的氣路流量值，關(guān)閉設(shè)置后氣路流量值為0的氣路，并在預(yù)設(shè)時間t內(nèi)將腔室中的氣體排出；根據(jù)所述預(yù)設(shè)氣路流量值，設(shè)置本次工藝步驟中其余氣路流量發(fā)生變化的氣路的氣路流量值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體設(shè)備制造中控制氣體輸入的方法，其特征在于，所述S100包括以下步驟：
S110，在本次工藝步驟中，從半導體設(shè)備制造工藝任務(wù)中的工藝表單中，循環(huán)讀取為半導體制造設(shè)備中的每路氣路所配置的本次工藝步驟的預(yù)設(shè)氣路流量值，并獲取所述氣路的本次工藝步驟的前一次工藝步驟的前次氣路流量值；
S120，判斷每路氣路的本次工藝步驟中的預(yù)設(shè)氣路流量值是否大于等于0.1；如果否，則執(zhí)行步驟S130；如果是，則直接返回步驟S110直至循環(huán)完每路氣路；
S130，判斷所述氣路的本次工藝步驟中的預(yù)設(shè)氣路流量值與前一次工藝步驟中的前次氣路流量值的絕對差值是否大于等于0.1；如果是，則檢測出所述氣路為在前一次工藝步驟中前次氣路流量值不為0且本次工藝步驟中氣路流量值相對于前一次工藝步驟中前次氣路流量值發(fā)生變化的氣路，執(zhí)行步驟S200；否則，直接返回步驟S110直至循環(huán)完每路氣路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體設(shè)備制造中控制氣體輸入的方法，其特征在于，所述S200包括以下步驟：
S210，對本次工藝步驟中氣路流量發(fā)生變化并需要關(guān)閉的氣路，將所述氣 路的氣路流量設(shè)置為0，關(guān)閉設(shè)置后氣路流量值為0的氣路閥門，將所述預(yù)設(shè)氣路流量值替代前一次工藝步驟中的所述前次氣路流量值作為更新后的前次氣路流量值；
S220，在預(yù)設(shè)時間t內(nèi)將腔室中的氣體排出；
S230，在步驟S220完成后，判斷各氣路的預(yù)設(shè)氣路流量值與所述前次氣路流量值的絕對差值是否大于等于0.1；
S240，如果是，將所述預(yù)設(shè)氣路流量值設(shè)置為所述氣路的氣路流量值，并將所述預(yù)設(shè)氣路流量值替代前一次工藝步驟中的前次氣路流量值作為更新后的前次氣路流量值，然后返回步驟S230直至循環(huán)完每路氣路；否則，直接返回步驟S230直至循環(huán)完每路氣路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的半導體設(shè)備制造中控制氣體輸入的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時間t為：
以關(guān)閉所有本次工藝步驟中氣路流量值小于0.1且本次工藝步驟氣路流量值與前一次工藝步驟中前次氣路流量值絕對差值大于等于0.1的氣路為開始時間點，至開始設(shè)置本次工藝步驟中其余氣路流量發(fā)生變化的氣路的氣路流量值的時間為結(jié)束時間點的時間段。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體設(shè)備制造中控制氣體輸入的方法，其特征在于，所述S100包括以下步驟：
S110’，在本次工藝步驟中，從半導體設(shè)備制造工藝任務(wù)中的工藝表單中，循環(huán)讀取為半導體制造設(shè)備中的每路氣路所配置的本次工藝步驟的預(yù)設(shè)氣路流量值，并獲取所述氣路的本次工藝步驟的前一次工藝步驟的前次氣路流量值；
S120’，判斷每路氣路的所述前次氣路流量值是否大于等于0.1；如果是，則執(zhí)行步驟S130’；否則直接返回步驟S110’直至循環(huán)完每路氣路；
S130’，判斷所述預(yù)設(shè)氣路流量與所述前次氣路流量值的絕對差值是否大于等于0.1；如果是，則檢測出所述氣路為本次工藝步驟中發(fā)生流量變化且前一次工藝步驟中未關(guān)閉的氣路，則執(zhí)行步驟S200；否則，則直接返回步驟S110’直至循環(huán)完每路氣路。
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