[發明專利]一種提高荷電納濾膜離子截留率的方法

無效

• 申請號: 201310213302.2
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN103252178A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 潘巧明;李俊俊
• 申請（專利權）人: 杭州水處理技術研究開發中心有限公司
• 主分類號: B01D71/82
• 分類號: B01D71/82;B01D69/12;B01D69/10;B01D67/00
• 代理公司: 浙江英普律師事務所 33238
• 代理人: 陳小良

1.一種提高荷電納濾膜離子截留率的方法，其特征是：在多孔支撐膜上，用水/油兩相界面聚合的方法復合一層分離層制備得到納濾膜，在分離層反應后立刻用含胺基的磺酸衍生物溶液對分離層上表面進行反應改性，得到改性納濾膜，最后將改性納濾膜中的未反應物漂洗干凈；所述的水/油兩相界面聚合的方法是先在多孔支撐膜上涂覆水相，待水漬晾干后再涂覆油相；所述的對分離層上表面進行反應改性是將剛剛反應完成的納濾膜與含胺基的磺酸衍生物溶液接觸。

2.根據權利要求1所述的一種提高荷電納濾膜離子截留率的方法，其特征在于，所述的油相為含酰氯基團分子的有機溶液，其中含酰氯基團分子的物質是均苯三甲酰氯、間苯二甲酰氯、對苯二甲酰氯、或5-異氰酸酯-異酞酰氯中一種或多種混合，溶劑為正己烷、十二烷、正庚烷、或Isopar^G；水相是多元胺或多元醇為單體的水溶液；界面聚合時含有酰氯基團分子的油相位于分離層的上表面。

3.根據權利要求1所述的一種提高荷電納濾膜離子截留率的方法，其特征在于，所述的含胺基的磺酸衍生物是?；撬帷⑴；撬猁}、甲基?；撬帷⒓谆；撬猁}、高?；撬?、高牛磺酸鹽、2-氨基丙磺酸、2-氨基丙磺酸鹽、2-氨基苯磺酸、2-氨基苯磺酸鹽、3-氨基苯磺酸、3-氨基苯磺酸鹽、4-氨基苯磺酸、或4-氨基苯磺酸鹽；含胺基的磺酸衍生物溶液中的溶劑是水、乙醇/水、甲醇/水、二甲基亞砜/水、N,N-二甲基甲酰胺/水、或N,N-二甲基乙酰胺/水；含胺基的磺酸衍生物溶液中溶質的質量濃度是0.5%至飽和。

4.根據權利要求3所述的一種提高荷電納濾膜離子截留率的方法，其特征在于，所述的含胺基的磺酸衍生物為?；撬徕c、或甲基牛磺酸鈉；含胺基的磺酸衍生物溶液中溶劑是二甲基亞砜/水，其體積比為1:3～1:6；含胺基的磺酸衍生物溶液中溶質質量濃度是10%至飽和。

5.根據權利要求1所述的一種提高荷電納濾膜離子截留率的方法，其特征在于，從分離層反應完成至表面反應改性的時間間隔小于2小時；接觸的方式是浸泡、單面涂覆、流延、或噴淋；接觸的時間大于10秒；表面反應改性的接觸溫度是0～90℃。

6.根據權利要求5所述的一種提高荷電納濾膜離子截留率的方法，其特征在于，從分離層反應完成至表面反應改性的時間間隔為30～120秒；接觸的方式是單面涂覆；接觸的時間是120～300秒；表面反應改性的接觸溫度是25～45℃。