[發(fā)明專利]Mo-Zn-In系鐵基非晶合金薄帶及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310213199.1 | 申請日: | 2013-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN103352183A | 公開(公告)日: | 2013-10-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王軍松 | 申請(專利權(quán))人: | 全椒君鴻軟磁材料有限公司 |
| 主分類號: | C22C45/02 | 分類號: | C22C45/02;C21D10/00 |
| 代理公司: | 安徽合肥華信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112 | 代理人: | 方琦 |
| 地址: | 239500 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | mo zn in 系鐵基非晶 合金 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁性功能材料領(lǐng)域,特別涉及一種性能優(yōu)良的鐵基非晶態(tài)合金薄帶及其制備方法,可廣泛用于各種非晶薄帶圓環(huán)材料。
背景技術(shù)
現(xiàn)有變壓器磁芯多采用硅鋼片制作,其雖然具有較高的飽和磁感(2.0T),但中頻損耗大,能耗高。非晶合金開始用于變壓器非晶薄帶圓環(huán)材料,但其飽和磁感小于硅鋼,應(yīng)用受限,因此,開發(fā)一種具有高飽和磁感和低中頻損耗的非晶合金薄帶材料,是變壓器非晶薄帶圓環(huán)材料的研究重點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種Mo-Zn-In系鐵基非晶合金薄帶及其制備方法,其具有高飽和磁感和低中頻損耗。
本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:
一種Mo-Zn-In系鐵基非晶合金薄帶,其特征在于:其組成各元素的原子百分比為:Mo3-5、Zn8-10、In2-3、As0.5-0.8、Sb0.02-0.04、Bi0.9-1.2、Yb0.01-0.02、Lu0.03-0.04?、Fe余量。
所述的Mo-Zn-In系鐵基非晶合金薄帶的制備方法,包括按各元素原子百分比配料,加熱到1200-1500℃,熔化并制備成熔融合金;在CO2?和N2混合氣氛保護(hù)下,將熔融合金噴射到銅輥上快速急冷,得到非晶態(tài)合金薄帶并卷繞成圓環(huán);混合氣氛的比例CO2?:N2=1:2-3;其特征在于:將得到的非晶薄帶圓環(huán)放在第一熱處理爐中,第一熱處理爐中放置所述非晶薄帶圓環(huán)的部分外加縱向脈沖磁場,頻率為20-30Hz,磁場強(qiáng)0.8-0.9T;以6-8℃/分鐘速率,升溫至380-420℃,保溫40-60分鐘;然后將非晶薄帶圓環(huán)送入第二熱處理爐中,放置所述非晶薄帶圓環(huán)的部分外加直流磁場,磁場大小80-100Oe;抽真空后至小于10Pa,再充氬氣至0.3-0.4?MPa,以6-10℃/分鐘速率,升溫至300-320℃,保溫18-25分鐘;繼續(xù)以8-10℃/分鐘速率,升溫至480-500℃,保溫10-15分鐘;停止加熱,待非晶薄帶圓環(huán)冷卻至45℃以下,從熱處理爐取出。
本發(fā)明制備非晶帶材與常規(guī)的非晶帶材制備方法相似,本申請以Mo-Zn-In為基礎(chǔ)摻雜材料,添加Sb、Bi、Yb等其它成分,優(yōu)化熱處理工藝,明顯改善非晶合金帶材的應(yīng)力分配,使得本發(fā)明非晶合金材料具有優(yōu)良的韌性、良好的塑性、優(yōu)異的軟磁性能和良好的非晶形成能力,可廣泛應(yīng)用于各種非晶薄帶圓環(huán)材料。
具體實(shí)施方式
一種Mo-Zn-In系鐵基非晶合金薄帶,其組成各元素的原子百分比為:Mo3、Zn8、In3、As0.5、Sb0.04、Bi1.2、Yb0.01、Lu0.04?、Fe余量。
Mo-Zn-In系鐵基非晶合金薄帶的制備方法,包括按各元素原子百分比配料,加熱到1200-1500℃,熔化并制備成熔融合金;在CO2?和N2混合氣氛保護(hù)下,將熔融合金噴射到輥速為22-28m/s?銅輥上快速急冷,得到寬度為5±0.2mm、厚度為28±5μm?的非晶薄帶。將非晶薄帶卷繞成圓環(huán),內(nèi)徑1厘米,外徑2.5厘米;混合氣氛的比例CO2?:N2=1:2;本發(fā)明依次進(jìn)行以下步驟:
將得到的非晶薄帶圓環(huán)放在第一熱處理爐中,第一熱處理爐中放置所述非晶薄帶圓環(huán)的部分外加縱向脈沖磁場,頻率為20Hz,磁場強(qiáng)0.8-0.9T;以6-8℃/分鐘速率,升溫至410-420℃,保溫50-60分鐘;然后將非晶薄帶圓環(huán)送入第二熱處理爐中,放置所述非晶薄帶圓環(huán)的部分外加直流磁場,磁場大小80-90Oe;抽真空后至小于10Pa,再充氬氣至0.3?MPa,以8-10℃/分鐘速率,升溫至300-320℃,保溫18-20分鐘;繼續(xù)以8-10℃/分鐘速率,升溫至480-500℃,保溫10-12分鐘;停止加熱,待非晶薄帶圓環(huán)冷卻至45℃以下,從熱處理爐取出。
性能檢測:
測試條件為磁感1.1T,頻率為50Hz,記為P11/50。合金的飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度Bs?采用靜態(tài)磁性能測量儀,以磁場為800A/m?下的磁感應(yīng)強(qiáng)度作為合金的飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度Bs,合金的矯頑力Hc?采用B-H?磁滯回線測試儀測得。
本發(fā)明飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度Bs?為1.96T?,矯頑力Hc?均在2.7A/m?,損耗P11/50?在0.21W/kg?,斷裂應(yīng)變εf?在0.025?以上,韌脆轉(zhuǎn)變溫度TDB?均在150℃以上。
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