[發明專利]一種BCD半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310213004.3
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN103337498B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 喬明;李燕妃;許琬;陳濤;張波
• 申請（專利權）人: 深圳市聯德合微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/8249
• 代理公司: 深圳市興科達知識產權代理有限公司44260
• 代理人: 王翀

1.一種BCD半導體器件，包括高壓nLIGBT器件（1）、第一類高壓nLDMOS器件（2）、第二類高壓nLDMOS器件（3）、第三類高壓nLDMOS器件（4）、低壓NMOS器件（5）、低壓PMOS器件（6）和低壓NPN器件（7）；所述在高壓nLIGBT器件（1）和第一類高壓nLDMOS器件（2）的n型漂移區阱（21、22）中分別引入n型重摻雜層（201、202）；p型降場層（301、302）分別位于n型重摻雜層（201、202）的下方、被n型漂移區阱（21、22）包圍。

2.如權利要求1所述的BCD半導體器件，其特征在于：

所述高壓nLIGBT器件（1）做在p型襯底（10）中，n型重摻雜層（201）位于場氧化層（51）下、被n型漂移區阱（21）包圍；p型降場層（301）位于n型重摻雜層（201）下方；p⁺陽極區（72）處于陽極金屬（902）下、被n型漂移區阱（21）包圍；n⁺陰極區（81）和p⁺阱接觸區（71）并排處于陰極金屬（901）下、被p型體區（31）包圍；多晶硅柵（61）部分處于柵氧化層（41）上、部分處于場氧化層（51）上；陰極金屬（901）、陽極金屬（902）和多晶硅柵（61）之間通過金屬前介質（11）相互隔離；

所述第一類高壓nLDMOS器件（2）做在p型襯底（10）中，n型重摻雜層（202）位于場氧化層（51）下、被n型漂移區阱（22）包圍；p型降場層（302）位于n型重摻雜層（202）下方；n⁺漏區（83）處于漏極金屬（904）下、被n型漂移區阱（22）包圍；n⁺源區（82）和p⁺阱接觸區（73）并排處于源極金屬（903）下、被p型體區（32）包圍；多晶硅柵（63）部分處于柵氧化層（42）上、部分處于場氧化層（51）上；源極金屬（903）、漏極金屬（904）和多晶硅柵（63）之間通過金屬前介質（11）相互隔離；

所述第二類高壓nLDMOS器件（3）做在p型襯底（10）中，n⁺漏區（85）處于漏極金屬（906）下、被n型漂移區阱（23）包圍；n⁺源區（84）和p⁺阱接觸區（74）并排處于源極金屬（905）下、被p型體區（33）包圍；多晶硅柵（65）部分處于柵氧化層（43）上、部分處于場氧化層（51）上；源極金屬（905）、漏極金屬（906）和多晶硅柵（65）直接通過金屬前介質（11）相互隔離；

所述第三類高壓nLDMOS器件（4）做在p型襯底（10）中，n⁺漏區（87）處于漏極金屬（908）下、被n型漂移區阱（24）包圍；n⁺源區（86）和p⁺阱接觸區（75）并排處于源極金屬（907）下、被p型體區（34）包圍；多晶硅柵（66）處于柵氧化層（44）上；源極金屬（907）、漏極金屬（908）和多晶硅柵（66）之間通過金屬前介質（11）相互隔離；

所述低壓NMOS器件（5）做在p型阱（35）中，p型阱（35）被襯底（10）包圍，其n⁺漏區（89）處于漏極金屬（910）下、被p型阱（35）包圍；n⁺源區（88）和p⁺阱接觸區（76）并排處于源極金屬（909）下、被p型阱（35）包圍；多晶硅柵（67）處于柵氧化層（45）上、金屬前介質（11）下；多晶硅柵（67）、源極金屬（909）和漏極金屬（910）通過金屬前介質（11）相互隔離；

所述低壓PMOS器件（6）做在n漂移區阱（25）中，p⁺漏區（78）處于漏極金屬（912）下、被n型漂移區阱（25）包圍，所述p⁺源區（77）和n⁺阱接觸區（810）并排處于源極金屬（911）下、被n型漂移區阱（25）包圍，所述多晶硅柵（68）處于柵氧化層（46）上、金屬前介質（11）下，所述多晶硅柵（68）、源極金屬（911）和漏極金屬（912）通過金屬前介質（11）相互隔離；

所述低壓NPN器件（7）做在p型襯底（10）中，集電區n型阱（26）置于p型襯底（10）中，所述基區p型阱（36）被集電區n型阱（26）包圍，所述基極p⁺接觸區（79）位于基極金屬（914）下、被基區p阱（36）包圍，所述發射極n⁺區（812）位于發射極金屬（915）下、被基區p型阱（36）包圍，所述集電極n⁺區（811）位于集電極金屬（913）下、被n型漂移區阱（26）包圍，集電極金屬（913）、基極金屬（914）和發射極金屬（915）通過金屬前介質11相互隔離。