[發明專利]以TiOSO4和淀粉分別為鈦源和碳源制備超細TiC粉體的方法有效
| 申請號: | 201310212817.0 | 申請日: | 2013-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN103420372A | 公開(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發明(設計)人: | 吳一 | 申請(專利權)人: | 桂林理工大學 |
| 主分類號: | C01B31/30 | 分類號: | C01B31/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 541004 廣*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tioso sub 淀粉 分別 碳源 制備 tic 方法 | ||
技術領域
本發明屬于超細TiC粉體制備技術領域,特別涉及一種以TiOSO4和淀粉分別為鈦源和碳源制備超細TiC粉體的方法。
背景技術
TiC具有高熔點、高硬度、高耐磨性及特殊的功能性等特點,不僅被廣泛用于磨具、切削工具及復合材料的增強體等,還作為能源材料得到廣泛應用,如作為核能材料利用。TiC的涂層材料能抗H+離子輻照和抗很大的溫度梯度和熱循環,這些涂層材料的抗氚滲透層長時間使用性能穩定。在紅外輻射陶瓷材料方面,堇青石結構中添加TiC,不僅被作為導電相而引入,而且其本身又是優良的近紅外輻射特性材料,以及在新型復合電接觸材料中有著廣泛的應用前景。
現代能源工業發展急需超細TiC粉,傳統用TiO2與碳固相混合后高溫還原合成TiC粉體,成本低廉但制備的粉體較粗;目前超細TiC粉主要以純鈦、鈦有機物或氣態鈦化物為原料,以氣相沉積、等離子體加熱等工藝制備,原料和工藝成本高,使超細TiC粉價格昂貴,研究和應用低成本制備超細TiC新技術很有意義。
目前工業化大規模生產的TiC粉大多為2~5μm,隨著現代化工業的發展,尤其能源工業的發展,對超細粉TiC的需求量越來越大,超細TiC具有更高的應用價值,前景廣闊;但目前市場供應的超細TiC粉因為原料成本及制備工藝成本極高而價格昂貴;因此進行低成本制備超細粉TiC的研究具有很大的現實意義。
超細TiC粉體的制備是材料科學家研究的熱點,研究的方面既有原料方面的,也有工藝方面的。但不同的方法對于工業化生產都有其優缺點。
直接碳化法是以單質碳、金屬鈦粉(或TiH2)為原料,在高溫下、惰性氣氛或真空中,反應物直接接觸反應生成TiC,產物純度高、碳計量比大,工藝過程簡單。但鈦粉的價格昂貴,超細鈦粉的制備比較困難;反應過程難控制,合成出的TiC需進一步粉磨破碎,導致產物的純度降低,還要進一步提純,使該法制備超細TiC粉未得到大規模推廣。
碳熱還原法是TiC粉工業化生產的傳統方法,該工藝以TiO2為鈦源,以石墨、碳黑、活性碳等為C源,在高溫、保護氣氛下,TiO2被C還原生成TiC粉。優勢為:原料成本低;工藝簡單,生產效率較高;TiC的粒度為微米級;但原料通過機械混合均勻性較差;利用燃燒法處理剩余碳黑,TiC也易被氧化;就目前的生產技術來看,合成出的粉體在粒度和純度上不能完全滿足精細陶瓷的要求。
還有其他一些方法來制備超細TiC,但總的來講存在原料要求高如高純金屬鈦粉、鈦的有機化合物等;合成工藝復雜,如需等離子加熱、微波加熱、氣相沉積等,設備條件要求高等問題,制備方法或工藝復雜或產量受限,導致成本高;開發高效率、低成本的TiC超細粉制備技術,仍然是當今各國科學家和企業界研究的重點。
發明內容
本發明的目的是克服現有技術的不足,提供一種以TiOSO4和淀粉分別為鈦源和碳源制備超細TiC粉體的方法。
具體步驟為:
(1)將TiOSO4和淀粉按摩爾比1:4~10加入到去離子水中混合均勻,所得混合液在100~150℃下干燥24~48小時,制得前驅體。
(2)將步驟(1)制得的前驅體在氫氣氛保護下加熱至1500~2000℃,保溫1~2小時進行碳熱還原,即制得超細TiC粉體。
所述化學試劑及原料的純度均為分析純以上純度。
本發明所制得的超細TiC粉體的組成由加入原料配比控制,粉體的純度和粒度由加料順序和制備工藝共同決定。
本發明方法的優點:
(1)以淀粉為碳源,以TiOSO4為鈦源,經碳熱還原,低成本制備高純、超細TiC。
(2)與傳統制備TiC的方法相比,具有原料混合均勻、工藝簡單、合成溫度低、合成時間短以及節能環保等特點。
附圖說明??
圖1為本發明方法的制備工藝流程圖。
圖2為本發明實施例制備的超細TiC粉體的XRD圖。
圖3為本發明實施例制備的超細TiC粉體的粒度分布圖。
具體實施方式??
實施例:
(1)將TiOSO4和淀粉按摩爾比1:8加入到去離子水中混合均勻,所得混合液在130℃下干燥36小時,制得前驅體。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于桂林理工大學,未經桂林理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310212817.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法





