[發明專利]晶體硅異質結太陽能電池的制備方法

有效

• 申請號: 201310212499.8
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN103311366A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 熊光涌;王栩生;章靈軍
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/20
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒;陸金星

1.一種晶體硅異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)?將N型單晶硅硅片進行表面化學清洗、腐蝕制絨；

(2)?將上述硅片的正面進行Si離子和B離子注入，在正面形成一層本征非晶硅薄膜；

在硅片的背面進行Si離子和B離子注入，在背面形成一層本征非晶硅薄膜；

(3)?對上述硅片正反面的本征非晶硅薄膜進行回刻；

(4)?在上述硅片正面沉積p型摻雜的非晶硅薄膜層；

(5)?在上述硅片反面沉積n型重摻雜的非晶硅薄膜層；

(6)?在上述硅片的正反兩面設置透明導電薄膜層；

(7)?絲網印刷、燒結在硅片表面制備金屬電極，即可得到晶體硅異質結太陽能電池。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中的離子注入的深度為20~30?nm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中，回刻后的本征非晶硅薄膜層的厚度為2~6?nm。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中硅片正面沉積的p型摻雜的非晶硅薄膜層的厚度為2~8?nm。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)中硅片背面沉積的n型重摻雜的非晶硅薄膜層的厚度為2~6?nm。

6.一種晶體硅異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)?將P型單晶硅硅片進行表面化學清洗、腐蝕制絨；

(2)?將上述硅片的正面進行Si離子和P離子注入，在正面形成一層本征非晶硅薄膜；

在硅片的背面進行Si離子和P離子注入，在背面形成一層本征非晶硅薄膜；

(3)?對上述硅片正反面的本征非晶硅薄膜進行回刻；

(4)?在上述硅片正面沉積n型摻雜的非晶硅薄膜層；

(5)?在上述硅片反面沉積p型重摻雜的非晶硅薄膜層；

(6)?在上述硅片的正反兩面設置透明導電薄膜層；

(7)?絲網印刷、燒結在硅片表面制備金屬電極，即可得到晶體硅異質結太陽能電池。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中的離子注入的深度為20~30?nm。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中，回刻后的本征非晶硅薄膜層的厚度為2~6?nm。

9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中硅片正面沉積的n型摻雜的非晶硅薄膜層的厚度為2~8?nm。

10.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)中硅片背面沉積的p型重摻雜的非晶硅薄膜層的厚度為2~6?nm。