[發明專利]一種用于存放薄晶圓片的周轉存儲盒

有效

• 申請號: 201310212033.8
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN103280419A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 彭志農;潘宏菽;付興昌
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/677
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 陸林生

技術領域

本發明涉及專門適用于特殊物件或物料的容器、包裝元件或包裝件技術領域。

背景技術

半導體工藝流程中，雖然器件或電路芯片大部分是在半導體基體材料的淺表面層上制造的，但在數十、上百道工藝流程中，為了保證對晶圓片表面加工的精度、結構等要求并避免工藝中晶圓片的破碎，一般采用一定厚度的晶圓片在工藝過程中傳遞、流片。由于寄生電阻等的存在，芯片電路工作時會產生熱量，溫度升高，而互聯金屬與半導體材料、半導體材料與封裝材料之間不同的熱膨脹系數，會產生內應力導致芯片破裂或損壞。通過背面減薄工藝，可以減低芯片熱阻，提高散熱性能，降低芯片因過應力造成的破損風險，而且經過減薄后的晶圓片更易于充分發揮芯片的性能，有利于提高器件或電路的整體質量和成品率。

現今，隨著工藝的發展，人們對超薄晶圓片的要求越來越高，當晶圓片減薄至一百微米左右，甚至數十微米厚時，在后續的工藝流片中，受內應力的作用，減薄后的晶圓片只要經受輕微的碰撞就很可能碎裂，其上的器件就可能報廢。以一直徑4英寸的GaAs片計算，正面采用常規GaAs工藝，完成背面減薄后，一旦報廢，其損失一般可高達十萬元以上。

現在，在后續的流片、傳送過程中，減薄晶圓片采用的載體一般有兩種：一種是與減薄晶圓片尺寸相當的片盒，一種是干凈的培養皿。若用片盒存放，因其主要是為避免單晶片表面劃傷而設計，只適用于比較厚的晶圓片存放，減薄后的晶圓片厚度明顯變薄，對較大直徑的晶圓片來說，更容易發生明顯的翹曲，一旦受到擠壓，就很可能碎裂。若用培養皿存放，晶圓片直徑如果與培養皿內徑相當，取放減薄后的晶圓片將很困難，稍有不慎就會造成片子的破裂；如果直徑不匹配，則減薄后的晶圓片會在培養皿內隨意滑動，就有可能與培養皿側壁發生碰撞，也易導致破碎；同時由于培養皿一般比較高，不利于減薄后的晶圓片的放入與取出，多個培養皿的疊放既不安全也會導致存放空間占用過多。減薄后的晶圓片破碎后即使不報廢，也將成倍增加后續的工作量，并會造成總成品率的下降和成本的上升。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種用于存放薄晶圓片的周轉存儲盒，使用所述存儲盒轉運薄晶圓片，能夠有效保證薄晶圓片的安全且取放薄晶圓片方便。

為解決上述技術問題，本發明所采取的技術方案是：一種用于存放薄晶圓片的周轉存儲盒，其特征在于包括盒體和盒蓋，所述盒體上設有艙室平臺，艙室平臺為一個平滑的圓形平臺，平臺的直徑大于薄晶圓片的直徑，沿艙室平臺外周的部分弧將盒體分為高低兩部分，在盒體低的部分設有取放口，取放口為一條設置在艙室平臺外側的弧形凹槽，所述凹槽緊挨著艙室平臺，取放口的高度大于艙室平臺的高度，所述盒蓋也分為高低兩部分，盒蓋低的部分與盒體高的部分相適配，盒蓋高的部分與盒體低的部分相適配。

優選的：所述盒體沿艙室平臺的一條直徑分為高低兩部分，在盒體高的部分，艙室平臺的周圍為陡直的邊沿，邊沿的高度大于薄晶圓片的翹曲高度，在盒體低的部分，艙室平臺的周圍為取放口，取放口為半圓形凹槽，取放口的高度大于艙室平臺的高度，高度差為1mm-5mm，半圓形凹槽在遠離艙室平臺的一側設有斜面，斜面的上沿與盒體低部分的上表面平齊，斜面的下沿高于艙室平臺。

優選的：在盒蓋高的部分與取放口相對應的位置上設有與取放口相適配的阻擋棱。

優選的：所述盒體的上表面設有第一定位棱，所述第一定位棱位于所述盒體高的部分上，所述盒體的下表面設有定位槽；所述盒蓋的上表面設有第二定位棱，第一定位棱與第二定位棱組合成的形狀與定位槽相適配。

優選的：盒體低的部分上設有第一鎖孔，在盒蓋上與第一鎖孔相對應的位置設有第二鎖孔。

優選的：所述斜面為45°斜面。

采用上述技術方案所產生的有益效果在于：所述存儲盒包括盒體和盒蓋，盒體分為高低兩部分，盒體高的部分與用于放置薄晶圓片的艙室平臺具有一定的高度差，此高度差的大小與薄晶圓片的翹曲程度有關，當薄晶圓片放置在盒體與盒蓋形成的艙室內時可有效防止觸碰薄晶圓片，可防止其在轉運的過程中觸碰到薄晶圓片，有效保證了薄晶圓片的安全。