[發(fā)明專利]一種變堝比的單晶硅生長方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310211852.0
• 申請(qǐng)日: 2013-05-30
• 公開（公告）號(hào): CN103305905A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫新利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江長興眾成電子有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/20
• 分類號(hào): C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 杭州華鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33217
• 代理人: 秦曉剛

1.一種變堝比的單晶硅生長方法，單晶硅在坩堝中生長，其特征在于：待單晶硅進(jìn)入等徑生長后，調(diào)整坩堝堝比不斷增加，進(jìn)行變堝比單晶硅生長。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變堝比的單晶硅生長方法，其特征在于：在單晶硅生長過程中，單晶硅長度百分比與堝比增加百分比的關(guān)系為：

單晶硅長度百分比??堝比增加百分比

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變堝比的單晶硅生長方法，其特征在于：在單晶硅生長過程中，選擇高純氬氣作為保護(hù)氣體，高純氬氣流量為20～120slpm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的變堝比的單晶硅生長方法，其特征在于：在單晶硅生長過程中，晶體轉(zhuǎn)速為10～25rpm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的變堝比的單晶硅生長方法，其特征在于：在單晶硅生長過程中，坩堝轉(zhuǎn)速為4～12rpm。