[發明專利]一種變堝比的單晶硅生長方法有效
| 申請號： | 201310211852.0 | 申請日： | 2013-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN103305905A | 公開（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發明（設計）人： | 孫新利 | 申請（專利權）人： | 浙江長興眾成電子有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/20 | 分類號： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州華鼎知識產權代理事務所(普通合伙) 33217 | 代理人： | 秦曉剛 |
| 地址： | 313100 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單晶硅 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種變堝比的單晶硅生長方法，單晶硅在坩堝中生長，其特征在于：待單晶硅進入等徑生長后，調整坩堝堝比不斷增加，進行變堝比單晶硅生長。
2.根據權利要求1所述的變堝比的單晶硅生長方法，其特征在于：在單晶硅生長過程中，單晶硅長度百分比與堝比增加百分比的關系為：
單晶硅長度百分比??堝比增加百分比
3.根據權利要求1所述的變堝比的單晶硅生長方法，其特征在于：在單晶硅生長過程中，選擇高純氬氣作為保護氣體，高純氬氣流量為20～120slpm。
4.根據權利要求2所述的變堝比的單晶硅生長方法，其特征在于：在單晶硅生長過程中，晶體轉速為10～25rpm。
5.根據權利要求3所述的變堝比的單晶硅生長方法，其特征在于：在單晶硅生長過程中，坩堝轉速為4～12rpm。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江長興眾成電子有限公司，未經浙江長興眾成電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310211852.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
