[發明專利]噴淋頭以及氣相沉積設備

無效

• 申請號: 201310211809.4
• 申請日: 2013-05-30
• 公開（公告）號: CN103243312A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 黃允文
• 申請（專利權）人: 光壘光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種噴淋頭，用于MOCVD工藝，包括：噴淋頭體，所述噴淋頭體具有至少兩個氣體腔；所述每個氣體腔皆具有多個氣體管道貫穿所述噴淋頭體的下表面；其特征在于，還包括一熱壁板，所述熱壁板間隔設置于所述噴淋頭體的下方，所述熱壁板具有多個通孔，至少一個氣體腔的氣體管道穿過所述通孔延伸到所述熱壁板下方；所述熱壁板至少包括導電層，所述導電層連接電源，使得所述導電層流通有電流。

2.如權利要求1所述的噴淋頭，其特征在于，所述熱壁板的材料為導電材料。

3.如權利要求2所述的噴淋頭，其特征在于，所述導電材料為石墨、鎢、鉬、鉭、鈮、釩、鉻、鈦或鋯中的一種或多種。

4.如權利要求2所述的噴淋頭，其特征在于，所述電源的一端連接所述熱壁板的中心，另一端包括有多個連接點，所述連接點均勻分布并連接于所述熱壁板的四周邊沿。

5.如權利要求4所述的噴淋頭，其特征在于，還包括：輸出功率控制器，設置于所述電源與熱壁板之間，所述輸出功率控制器用于控制輸出到熱壁板上的電源功率。

6.如權利要求1所述的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭體還包括水冷卻腔，所述水冷卻腔位于所述至少兩個氣體腔下方，所述多個氣體管道貫穿所述水冷卻腔達到所述噴淋頭體的下表面。

7.如權利要求1所述的噴淋頭，其特征在于，所述熱壁板通過絕緣材料層與所述噴淋頭體連接。

8.如權利要求1所述的噴淋頭，其特征在于，所述至少兩個氣體腔包括III族源腔和氨氣腔，所述III族源腔的氣體管道穿過所述通孔延伸到所述熱壁板下方，所述氨氣腔的氣體管道延伸至所述噴淋頭體與所述熱壁板之間的間隙。

9.如權利要求1所述的噴淋頭，其特征在于，所述至少兩個氣體腔包括III族源腔和氨氣腔，所述III族源腔和所述氨氣腔的氣體管道穿過所述通孔延伸到所述熱壁板下方，所述熱壁板與噴淋頭體之間的間隙中通入有吹掃氣體。

10.如權利要求9所述的噴淋頭，其特征在于，所述吹掃氣體為N₂、H₂或NH₃。

11.一種氣相沉積設備，包括噴淋頭、與所述噴淋頭相對設置的襯底托盤、及加熱器，所述加熱器用于加熱所述襯底托盤，其特征在于，包括如權利要求1至10中任意一項所述的噴淋頭。