[發明專利]一種集成的OLED圖像收發裝置及其像素排列結構有效
| 申請號: | 201310211282.5 | 申請日: | 2013-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN103337503A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 劉萍 | 申請(專利權)人: | 深圳典邦科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 518057 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 集成 oled 圖像 收發 裝置 及其 像素 排列 結構 | ||
技術領域
本發明涉及OLED顯示技術,特別是涉及一種集成的OLED圖像收發裝置及其像素排列結構。
背景技術
有機發光器件(OLED)具有發光亮度高、驅動電壓低、響應速度快、無視角限制、低功耗、超輕超薄、可具備任何形狀,顏色輸出為單色、白色或近紅外線、壽命長等優點,在平板顯示器、平面光源等領域具有巨大的應用前景。結合硅基CMOS驅動電路,可以整合信號擷取、信號處理、控制等功能。
參照圖1所示的例子,在該例中,光電二極管嵌入在OLED微顯示陣列中形成圖像收發裝置。其中,光電二極管7對可見光至近紅外光敏感,光電二極管陣列進一步形成圖像傳感器。OLED由光反射陽極8、有機發光層5和透明陰極9組成,OLED陣列形成圖像顯示裝置。在光電二極管旁邊設計OLED發光源并交叉隔開,而發光與感光可以并行操作。
圖1所示的OLED圖像收發裝置相比于傳統的OLED微顯示,最大的優勢在于:在同一個CMOS芯片上集成顯示和成像功能;外部電光器件減少,HMD尺寸減小;系統更加輕便、便宜,功能更強、性能更高、而功耗更低;可以應用于微型顯示器,如HMD頭戴顯示器、行動裝置或微投影裝置、HUD抬頭顯示器、電子觀景窗等;具備穿透顯示與攝錄影的雙向微顯示器,如互動式HMD、光學檢查等;感測器,如光學感測器,作為螢光、顏色,流量測定等。
但是,如圖1所示的圖像收發裝置中,并沒有給出OLED和圖像傳感器陣列的像素排列結構。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的不足,提供一種集成的OLED圖像收發裝置的像素排列結構,提高顯示性能和成像性能。
另一目的是提供具有這種像素排列結構的OLED圖像收發裝置。
為實現上述目的,本發明采用以下技術方案:
一種集成的OLED圖像收發裝置的像素排列結構,所述OLED圖像收發裝置包括基板、所述基板上的用于感光的光電二極管和所述基板上的用于發光的OLED,所述像素排列結構由所述光電二極管和所述OLED所形成,其中,
由n×n個光電二極管感光子像素構成的n×n光電二極管感光像素單元,與圍繞所述n×n光電二極管感光像素單元的多個OLED發光子像素,構成(n+2)×(n+2)感光單元,
多個所述(n+2)×(n+2)感光單元沿縱橫方向排布以形成陣列,
其中n≥2。
優選地,橫向或縱向上,相鄰的兩個(n+2)×(n+2)感光單元之間間隔一個或多個由OLED發光子像素構成的OLED發光單元。
優選地,圍繞所述n×n光電二極管感光像素單元的多個OLED發光子像素具有相同或不相同的結構。
優選地,所述多個OLED發光子像素整體上發射R/G/B單色光、白色光或彩色光,所述彩色光中的各單色光由白光OLED發光子像素通過濾色片獲得或者由R/G/B單色光OLED發光子像素獲得。
優選地,構成所述OLED發光單元的OLED發光子像素具有相同或不相同的結構。
優選地,所述OLED發光單元整體上發射R/G/B單色光、白色光或彩色光,所述彩色光中的各單色光由白光OLED發光子像素通過濾色片獲得或者由R/G/B單色光OLED發光子像素獲得。
優選地,所述n×n光電二極管感光像素單元通過濾色片實現彩色成像。
優選地,n為2,所述n×n光電二極管感光像素單元為2×2光電二極管感光像素單元,其中左上的光電二極管感光子像素對應綠色光電二極管,左下的光電二極管感光子像素對應藍色光電二極管,右下的光電二極管感光子像素對應綠色光電二極管,右上的光電二極管感光子像素對應紅色光電二極管。
優選地,OLED發光子像素和光電二極管感光子像素的尺寸均為8×8μm2,相鄰的兩個(n+2)×(n+2)感光單元的中心距為160μm。
一種集成的OLED圖像收發裝置,包括基板、所述基板上的用于感光的光電二極管和所述基板上的用于發光的OLED,所述光電二極管和所述OLED具有上述的像素排列結構。
本發明的有益技術效果:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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