[發明專利]改善光刻膠固化后變形及半導體器件保護層曝光的方法

有效

• 申請號: 201310211258.1
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN104216232A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 曾森茂;沈佳;陳輝
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 王愛偉

1.改善光刻膠固化后變形的方法，其特征在于：在光刻膠曝光之前添加圖形偏移量參數，所述光刻膠為聚酰亞胺光刻膠，具體步驟如下：

步驟一、提供參考晶片，用于在其上形成保護層，所述參考晶片包括原始參考晶片和偏移參考晶片；

步驟二、根據原始的圖形曝光參數在原始參考晶片上進行曝光刻蝕，經烘烤后得到原始保護層，觀察原始保護層在襯底上不同材質結構交界處的變形情況；

步驟三、在原始圖形曝光參數的基礎上逐漸改變圖形偏移量，使光刻圖形沿X軸和Y軸整體偏移，偏移后的光刻圖形的邊緣不在襯底上不同材質結構的交界處，在偏移參考晶片上進行曝光刻蝕，經烘烤后獲得相對應的偏移參考保護層，觀察偏移參考保護層在襯底上不同材質結構交界處的變形情況；

步驟四、根據偏移參考保護層的變形情況，將保護層沒有變形且窗口較大的偏移參考晶片的光刻圖形定為校正圖形；

步驟五、確定出校正圖形相對于原始光刻圖形的圖形偏移量，包括X軸方向的偏移量ΔX以及Y軸方向的偏移量ΔY，得到對應的圖形偏移量參數；

步驟六、將得到的圖形偏移量參數ΔX和ΔY通過軟件補償的方式添加至圖形曝光參數中，進行曝光。

2.如權利要求1所述的改善光刻膠固化后變形的方法，其特征在于：所述校正圖形的邊緣遠離襯底上不同結構的交界處。

3.如權利要求1所述的改善光刻膠固化后變形的方法，其特征在于：所述校正圖形位于襯底上不同材質結構的交界處之上且不超過該交界線。

4.如權利要求1至3任一項所述的改善光刻膠固化后變形的方法，其特征在于：所述步驟二和步驟三中光刻膠的烘烤溫度為300～350攝氏度。

5.如權利要求4所述的改善光刻膠固化后變形的方法，其特征在于所述步驟二和步驟三中光刻膠的烘烤時間為50～80分鐘。

6.半導體器件保護層曝光的方法，包括以下步驟：在已形成壓焊點金屬的半導體器件襯底上旋涂聚酰亞胺光刻膠層；以具有保護層圖形的掩膜對光刻膠層進行曝光；

其特征在于：

在對光刻膠層進行曝光之前添加圖形偏移量參數，其中，包括以下子步驟：

子步驟一、提供參考半導體器件，用于在其上形成保護層，所述參考半導體器件包括原始參考半導體器件和偏移參考半導體器件；

子步驟二、根據原始的圖形曝光參數在原始參考半導體器件上進行原始曝光刻蝕，經高溫烘烤得到原始保護層，觀察原始保護層在襯底上不同材質結構交界處的變形情況；

子步驟三、根據原始保護層的變形情況，在原始圖形曝光參數的基礎上加入圖形偏移量，使光刻圖形沿X軸和Y軸整體偏移，偏移后的光刻圖形的邊緣不在襯底上不同材質結構的交界處，在偏移參考半導體器件上進行曝光刻蝕后，經高溫烘烤獲得相對應的偏移參考保護層，觀察偏移參考保護層在襯底上不同材質結構交界處的變形情況；

子步驟四、根據偏移參考保護層的變形情況，將保護層沒有變形且窗口較大的偏移參考晶片的光刻圖形定為校正圖形；

子步驟五、確定出校正圖形相對于原始光刻圖形的圖形偏移量，包括X軸方向的偏移量ΔX以及Y軸方向的偏移量ΔY，得到對應的圖形偏移量參數；

子步驟六、將子步驟五得到的圖形偏移量參數ΔX和ΔY通過軟件補償的方式添加至圖形曝光參數中，進行曝光。

7.如權利要求6所述的半導體器件保護層曝光的方法，其特征在于：所述校正圖形的邊緣遠離襯底上不同結構的交界處。

8.如權利要求6所述的半導體器件保護層曝光的方法，其特征在于：所述校正圖形位于襯底上不同材質結構的交界處之上且不超過該交界線。

9.如權利要求6至8任一項所述的半導體器件保護層曝光的方法，其特征在于：所述子步驟二和子步驟三中光刻膠的烘烤溫度為300～350攝氏度。

10.如權利要求9所述的半導體器件保護層曝光的方法，其特征在于：所述子步驟二和子步驟三中光刻膠的烘烤時間為50～80分鐘。