[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310211219.1
• 申請日: 2013-05-30
• 公開（公告）號: CN104218163A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;馮小明;張娟娟;王平
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板，陽極，空穴傳輸層，電子阻擋層，發(fā)光層，空穴阻擋層，電子傳輸層及陰極，其特征在于，

所述電子傳輸層包括依次交替層疊設(shè)置的摻雜層及非摻雜層，所述電子傳輸層兩端為摻雜層，所述摻雜層包括電子傳輸主體材料及摻雜在所述電子傳輸主體材料中的摻雜劑，所述摻雜劑在所述電子傳輸主體材料的摻雜濃度由靠近所述空穴阻擋層一側(cè)至遠(yuǎn)離所述空穴阻擋層一側(cè)梯次降低；

所述非摻雜層材料為電子傳輸主體材料；

所述摻雜劑材料選自碳酸鋰，疊氮化鋰，氟化鋰，疊氮化銫，碳酸銫，氟化銫，硼氫化鉀，碳酸銣或氮化鋰中至少一種；

所述電子傳輸主體材料選自2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑，(8-羥基喹啉)-鋁、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲或1,2,4-三唑衍生物中至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述靠近所述空穴阻擋層一側(cè)設(shè)置的摻雜層中所述摻雜劑與所述電子傳輸主體材料的質(zhì)量比為1：100～1:20，所述遠(yuǎn)離所述空穴阻擋層一側(cè)設(shè)置的摻雜層中所述摻雜劑與所述電子傳輸主體材料的質(zhì)量比為3：10～2:5，夾在中間設(shè)置的所述摻雜層中所述摻雜劑與所述電子傳輸主體材料的質(zhì)量比為1：10～1:4。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述摻雜層厚度為10nm～20nm，所述非摻雜層厚度為3nm～8nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層中摻雜層的層數(shù)大于等于2，所述非摻雜層的層數(shù)大于等于1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層包括客體材料和主體材料，所述客體材料為三（2-苯基吡啶）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥或三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥；

所述主體材料為4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺、1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷或3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽；

所述客體材料與所述主體材料之間的質(zhì)量比為1:20-3:20;

所述發(fā)光層的厚度為10nm～30nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層材料的材料為N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-對二氨基聯(lián)苯以及摻雜在N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-對二氨基聯(lián)苯中的2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷，兩者的質(zhì)量比為1:50～1:10；

所述空穴傳輸層的厚度為20nm～60nm。

7.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

對基底進(jìn)行表面預(yù)處理；

在所述基底上依次蒸鍍形成陽極，空穴傳輸層，電子阻擋層，發(fā)光層及空穴阻擋層；

在所述空穴阻擋層上蒸鍍形成電子傳輸層，所述電子傳輸層包括依次交替層疊設(shè)置的摻雜層及非摻雜層，所述電子傳輸層兩端為摻雜層，所述摻雜層包括電子傳輸主體材料及摻雜在所述電子傳輸主體材料中的摻雜劑，所述摻雜劑在所述電子傳輸主體材料的摻雜濃度由靠近所述空穴阻擋層一側(cè)至遠(yuǎn)離所述空穴阻擋層一側(cè)梯次降低，所述非摻雜層材料為電子傳輸主體材料，所述摻雜劑材料選自碳酸鋰，疊氮化鋰，氟化鋰，疊氮化銫，碳酸銫，氟化銫，硼氫化鉀，碳酸銣或氮化鋰中至少一種，所述電子傳輸主體材料選自2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑，(8-羥基喹啉)-鋁、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲或1,2,4-三唑衍生物中至少一種；以及

在所述電子傳輸層上蒸鍍形成陰極層。