[發明專利]熱處理裝置以及熱處理方法有效
| 申請號: | 201310211205.X | 申請日: | 2013-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN103515204A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發明(設計)人: | 木村貴弘;澀田浩二;鍬田豊 | 申請(專利權)人: | 大日本網屏制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/26 | 分類號: | H01L21/26 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;郭曉東 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種熱處理裝置,通過向帶狀的被處理體照射光來加熱該被處理體,其特征在于,
具有:
搬運部,其通過第二輥卷取第一輥所送出的被處理體,來向第一方向連續地搬運被處理體;
光源,其在與上述第一方向垂直的第二方向上具有長軸,并且與在上述第一輥和上述第二輥之間被搬運的被處理體的表面相向配設,由此向該被處理體的表面照射光來進行加熱。
2.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于,
具有:
照射寬度規定部,其規定上述被處理體的表面上的沿著上述第一方向的光的照射寬度;
控制部,其基于由上述照射寬度規定部規定的照射寬度控制上述搬運部,來通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為0.1毫秒以上且1秒以下的搬運速度,搬運上述被處理體。
3.根據權利要求2所述的熱處理裝置,其特征在于,上述被處理體包括樹脂的基材。
4.根據權利要求3所述的熱處理裝置,其特征在于,上述控制部控制上述搬運部,來通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為0.6毫秒以上且0.9毫秒以下的搬運速度,搬運上述被處理體。
5.根據權利要求2所述的熱處理裝置,其特征在于,上述被處理體包括玻璃的基材。
6.根據權利要求5所述的熱處理裝置,其特征在于,上述控制部控制上述搬運部,來通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為1.0毫秒以上且1秒以下的搬運速度,搬運上述被處理體。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的熱處理裝置,其特征在于,在上述光源進行照射的光照射位置的上述第一方向上的上游側還具有預備加熱部,該預備加熱部對上述被處理體進行預備加熱。
8.根據權利要求7所述的熱處理裝置,其特征在于,上述預備加熱部具有與上述被處理體的背面相向配設的鹵素燈。
9.根據權利要求7所述的熱處理裝置,其特征在于,在上述光源進行照射的光照射位置的上述第一方向上的下游側還具有冷卻部,該冷卻部對上述被處理體進行冷卻。
10.根據權利要求9所述的熱處理裝置,其特征在于,上述冷卻部具有送風單元,該送風單元向上述被處理體吹送冷卻氣體。
11.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于,上述光源具有能夠連續照射光的氙燈。
12.一種熱處理方法,通過向帶狀的被處理體照射光來加熱該被處理體,其特征在于,
一邊通過第二輥卷取第一輥所送出的被處理體來向第一方向連續地搬運被處理體,一邊從光源向該被處理體的表面照射光來進行加熱。
13.根據權利要求12所述的熱處理方法,其特征在于,規定上述被處理體的表面上的沿著上述第一方向的光的照射寬度,并且基于該照射寬度,通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為0.1毫秒以上且1秒以下的搬運速度,搬運上述被處理體。
14.根據權利要求13所述的熱處理方法,其特征在于,上述被處理體包括樹脂的基材。
15.根據權利要求14所述的熱處理方法,其特征在于,通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為0.6毫秒以上且0.9毫秒以下的搬運速度,搬運上述被處理體。
16.根據權利要求13所述的熱處理方法,其特征在于,上述被處理體包括玻璃的基材。
17.根據權利要求16所述的熱處理方法,其特征在于,通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為1.0毫秒以上且1秒以下的搬運速度,搬運上述被處理體。
18.根據權利要求12至17中任一項所述的熱處理方法,其特征在于,在上述光源進行照射的光照射位置的上述第一方向上的上游側對上述被處理體進行預備加熱。
19.根據權利要求18所述的熱處理方法,其特征在于,在上述光源進行照射的光照射位置的上述第一方向上的下游側對上述被處理體進行冷卻。
20.根據權利要求12所述的熱處理方法,其特征在于,上述光源具有能夠連續照射光的氙燈。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





