[發(fā)明專利]一種具有微結(jié)構(gòu)增透膜的高壓LED芯片

在審

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• 申請日: 2013-05-30
• 公開（公告）號: CN103268882A
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王洪;鐘炯生;黃華茂;吳躍鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/44
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍

1.一種具有微結(jié)構(gòu)增透膜的高壓LED芯片，包括多個發(fā)光單元，每個發(fā)光單元從下至上依次包括寶石襯底1、緩沖層2、N型層3、量子阱層4、P型層5和ITO層6，每個發(fā)光單元還包括P型層上的電極7和N型層上的電極8，相鄰發(fā)光單元之間的電極通過連接橋9連接，其特征在于每個發(fā)光單元還包括覆蓋在ITO層上的增透膜10，位于ITO層6上方的增透膜頂面具有圓柱狀微結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有微結(jié)構(gòu)增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述增透膜采用SiON材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有微結(jié)構(gòu)增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述增透膜厚度為LED發(fā)光波長的四分之一。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種具有微結(jié)構(gòu)增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述微結(jié)構(gòu)的厚度為增透膜厚度的1/10。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有微結(jié)構(gòu)增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述增透膜除覆蓋ITO層上方外，還覆蓋ITO層上表面至N型層上的電極8之間的側(cè)面，且只有ITO層上方的增透膜具有圓柱狀微結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有微結(jié)構(gòu)增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述增透覆蓋芯片的ITO層整個外表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有微結(jié)構(gòu)增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述的圓柱狀微結(jié)構(gòu)的圓柱底面半徑為1.5um，高為100埃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有微結(jié)構(gòu)增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述圓柱狀微結(jié)構(gòu)的相鄰圓柱底面圓心距離為4um~6um。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高高壓LED出光效率的微結(jié)構(gòu)增透膜，其特征在于：所述增透膜采用PECVD沉積SiON薄膜形成，并由ICP蝕刻出圓柱狀微結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的提高高壓LED出光效率的微結(jié)構(gòu)增透膜，其特征在于：利用SiH₄和N₂O、NH₃反應(yīng)淀積SiON膜，SiON膜的折射率為1.58~1.71。