[發(fā)明專利]多波束半導(dǎo)體激光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310211067.5
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN103545708B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 仙庭靖久;神津孝一;臼田周一;反町進(jìn);原英樹
• 申請（專利權(quán)）人: 優(yōu)志旺光半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H01S5/40
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11243
• 代理人: 張敬強(qiáng),嚴(yán)星鐵

1.一種多波束半導(dǎo)體激光裝置，其具備：具備三個以上波束的半導(dǎo)體芯片；以及安裝上述半導(dǎo)體芯片的支撐基板，

該多波束半導(dǎo)體激光裝置的特征在于，

上述半導(dǎo)體芯片具有：

形成在半導(dǎo)體基板的主面上的第一導(dǎo)電式包覆層；

形成在上述第一導(dǎo)電式包覆層的上部的活性層；

形成在上述活性層的上部的第二導(dǎo)電式包覆層；

分別包括上述第二導(dǎo)電式包覆層與形成在上述第二導(dǎo)電式包覆層上部的第二導(dǎo)電式觸點(diǎn)層、且以上述波束間為30μm-50μm的方式排列的三個以上的隆起部；

形成在上述隆起部的各個的兩側(cè)的上述第二導(dǎo)電式包覆層上的一對凹槽；

與上述隆起部的各個電連接，以覆蓋上述隆起部的各個的上部與形成在其兩側(cè)的上述一對凹槽的上部的方式連續(xù)地形成的表面電極；

形成在上述表面電極的上部的第一導(dǎo)電層；

形成在上述第一導(dǎo)電層的上部，面積比上述第一導(dǎo)電層小的第二導(dǎo)電層；以及

形成在上述半導(dǎo)體基板的背面的背面電極，

上述表面電極、上述第一導(dǎo)電層、以及上述第二導(dǎo)電層分別與上述隆起部的數(shù)量相同地形成，

在上述支撐基板的芯片安裝面形成與上述隆起部的數(shù)量相同的第一電極，在上述第一電極的各個的表面形成焊料，

上述半導(dǎo)體基板通過熔融接合上述第二導(dǎo)電層與上述焊料，安裝在上述支撐基板的上述芯片安裝面上，

在上述隆起部與上述支撐基板之間設(shè)置間隙，上述隆起部與上述第一電極配置為沿隆起部的排列方向交錯開，

上述第二導(dǎo)電層在形成在上述隆起部的兩側(cè)的上述一對凹槽的一方的上部與上述焊料接觸，

上述第二導(dǎo)電層與上述焊料之間的與上述隆起部的數(shù)量相同的接合部均相對于上述隆起部形成在同側(cè)，

沿上述隆起部的排列方向的上述第二導(dǎo)電層疊的寬度比上述焊料的寬度窄。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，

上述第二導(dǎo)電層的寬度相對于上述焊料的寬度的比是0.7以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，

上述第二導(dǎo)電層的寬度相對于上述焊料的寬度的比是0.5以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，

上述波束的個數(shù)是偶數(shù)個，上述第二導(dǎo)電層在形成在上述隆起部的兩側(cè)的上述一對凹槽的一方的上部與上述焊料接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，

上述波束的個數(shù)是偶數(shù)個，上述隆起部及上述第二導(dǎo)電層相對于偶數(shù)個上述波束的中心配置為線對稱。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，

上述第一導(dǎo)電層及上述第二導(dǎo)電層由Au構(gòu)成，上述焊料由Au-Sn合金構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，

在上述半導(dǎo)體芯片的表面與背面形成在將上述半導(dǎo)體芯片安裝在上述支撐基板上時用于對準(zhǔn)的識別標(biāo)記。