[發明專利]一種陶瓷電容器介質及其制備方法無效
| 申請號: | 201310210480.X | 申請日: | 2013-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN103242038A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發明(設計)人: | 曹亞峰 | 申請(專利權)人: | 常州佳冠電子有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/468 | 分類號: | C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司: | 常州市科誼專利代理事務所 32225 | 代理人: | 孫彬 |
| 地址: | 213000 江蘇省常州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陶瓷 電容器 介質 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種非金屬材料領域,特別是一種壓陶瓷電容器介質。?
背景技術
隨著人類社會科技的發展,電子設備的應用發展速度十分迅速,每4-5年電子設備的數量即翻番,而同時,電子設備的“電磁污染”也成為社會第四大污染,各國紛紛采取法律和技術措施,企圖迅速改變這一狀況,可以設想,這一類抗電磁輻射的濾波元件的需求量將會大幅增長,而作為濾波元件中?陶瓷電容的技術質量要求也越來越高。?
目前,微波爐濾波電路專用雙孔常態電容長期以來依靠日本進口,而日本對一些關鍵技術進行封鎖,國內許多廠家進行了探索,但鮮有成績。日本是以鈦酸鋇為主晶相的鐵電陶瓷。鈦酸鋇基鐵電陶瓷在直流電場作用下,陶瓷各晶粒產生的這種沿電場方向縱向的伸長和在垂直電場方向(橫向)的收縮,就造成了陶瓷產品內部產生應力,這是鐵電陶瓷在電場的作用下電致伸縮或電至應變。?
鈦酸鋇基鐵電陶瓷施加一個足夠高的交變電場,電致應變的周期性變化必然伴隨著陶瓷內的(包括晶界和晶粒內的)應力的周期性變化和作用,交流電場電容耐電壓性能差,特別是對交流電壓差。?
鈦酸鋇陶瓷的介電-溫度特性可以看出介電常數是很高的;但其介電損耗也很高,可達0.01-0.02,這是鈦酸鋇陶瓷的一個很大的弱點。?
為此,需要發明一種電容器介質,在保持很高的介電常數的同時,降低介電損耗。?
發明內容
本發明的發明目的在于:針對上述存在的問題,提供一種對BaTiO3陶瓷進行了置換改性和摻雜改性,把材料溶解到BaTiO3陶瓷中,與相應離子進行置換形成BaTiO3陶瓷基固溶體。?
本發明采用的技術方案是這樣的:?
一種陶瓷電容器介質,包括BaTiO3,其特征在于:還包括BaTiO3與BaSnO3合成材料,Bi2O3與TiO2合成材料,并添加了置換改性材料和摻雜改性材料。
如權利要求1所述的陶瓷電容器介質,其特征在于:所述置換改性材料包括:?CaSnO3,CaTiO3,SrTiO3。?
進一步,所述各組分質量百分比含量依次為BaTiO3?47-57%,BaTiO3與BaSnO3合成材料13-24%,?Bi2O3與TiO2合成材料15-24%,CaSnO3??1-9%,CaTiO3?1-9%,SrTiO3?1-5%。在A位、B位置換過程中要以多種結構形式來改變BaTiO3陶瓷的主晶相。?
進一步,為了更好的展居峰、壓居峰,所述摻雜改性材料包括Bi2O3,MnCO3,EnO,同時加入稀土元素CeO2和La2O3。?
進一步,所述摻雜改性材料其質量百分比含量依次為Bi2O3?0.1-0.5,?MnCO3?0.1-0.7%,EnO?0.1-0.5%,?CeO2?0.1-0.9%,La2O3?0.1-0.7%。?
進一步,所述BaTiO3與BaSnO3合成材料,其兩者的質量配比關系為1:9-2:3之間。?
進一步,所述Bi2O3與TiO2合成材料,其兩者的質量配比關系為:1:1-1:3之間。?
一種制備上述的陶瓷電容器介質的方法,其特征在于:將BaTiO3陶瓷、置換改性材料和摻雜改性材料研磨混合均勻后放入氧化鋁坩堝內1000-1350攝氏度保溫2.3-2.7個小時。?
綜上所述,由于采用了上述技術方案,本發明的有益效果是:?
1、新材料的介電-溫度特性達到微波爐雙孔電容的技術指標,并且還降低了材料的介電損耗;提高了介質的耐電壓性能,特別是耐交流電壓性能。
具體實施方式
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