[發(fā)明專利]一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310210327.7
• 申請日: 2013-05-30
• 公開（公告）號: CN104218162A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;馮小明;張振華;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領域，特別涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發(fā)光(Organic?Light?Emission?Diode，以下簡稱OLED)，具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時擁有高清晰、廣視角，以及響應速度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā)展趨勢，以及綠色照明技術的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關注重點。

目前，OLED的發(fā)展十分迅速，為了獲得其更多的應用領域，更簡單的制作工藝，研究者們開發(fā)了多種結(jié)構的OLED發(fā)光裝置，例如頂發(fā)射發(fā)光裝置，倒置型發(fā)光裝置。目前應用于顯示裝置的OLED器件中，通常采用頂發(fā)射的結(jié)構，這是因為通常顯示裝置需要不透明的硅材料作為襯底，出光只能從頂部的陰極發(fā)射，同時可以采用金屬薄膜作為具有反射的陽極。但是頂發(fā)射器件通常具有較強的微腔效應，使得器件的發(fā)射光譜發(fā)射窄化，特別是對于白光或者其他混合色光的發(fā)射不利。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的透光基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴傳輸層包括交替層疊的混合層和有機材料層，混合層材質(zhì)為有機材料和無機氧化物形成的混合材料，能夠保持器件的空穴傳輸能力。在空穴傳輸層中加入無機氧化物材料，可以提高空穴傳輸材料的密度，并改變有機層的折射率，使混合層與有機材料層之間由原來的均相結(jié)構形成異相結(jié)構，不斷的改變光的行進方向，使得原有發(fā)生微腔效應的光路徑不存在，因而降低了微腔效應。本發(fā)明還公開了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。

第一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括交替層疊的透光基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴傳輸層包括交替層疊的混合層和有機層，所述混合層和有機層的層數(shù)均大于等于2，所述混合層材質(zhì)為無機氧化物和有機材料形成的混合材料，所述無機氧化物與有機材料的質(zhì)量比為0.3:1～1:1；所述有機材料為N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-對二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)；所述無機氧化物為三氧化鎢（WO₃）、二氧化硅（SiO₂）、五氧化二釹（Nd₂O₅）、三氧化錸（ReO₃）或三氧化鉬（MoO₃）；所述有機層的材質(zhì)為所述有機材料。

優(yōu)選地，所述混合層的厚度為10～15nm。

優(yōu)選地，所述有機層的厚度為10～20nm。

優(yōu)選地，所述混合層和有機層的層數(shù)均為2～3層。

優(yōu)選地，所述混合層和有機層材質(zhì)中含有相同的有機材料。

優(yōu)選地，所述陽極的材質(zhì)為Ag、Al、Au或Pt。

優(yōu)選地，所述陽極的厚度為70～200nm。

優(yōu)選地，所述陰極的材質(zhì)為Ag、Al、或Ag-Mg合金或Al-Mg合金。

優(yōu)選地，所述陰極的厚度為20～40nm。

優(yōu)選地，所述空穴注入層材質(zhì)為酞菁鋅(ZnPc)、酞菁銅（CuPc）、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)或(4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)。

優(yōu)選地，所述空穴注入層的厚度為5～10nm。

優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為8-羥基喹啉鋁（Alq3）、4,7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲（BCP）。

優(yōu)選地，所述電子傳輸層厚度為20～60nm。

優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為氟化鋰、氟化銫或氟化鈣。

優(yōu)選地，所述電子注入層的厚度為0.5～2nm。