[發(fā)明專利]一種OLED基板和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310210261.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103337594A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 代青;孫力;劉則 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 張愷寧 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 oled 顯示裝置 | ||
1.一種OLED基板,包括基板,設(shè)于所述基板上的發(fā)光亞像素和設(shè)于所述基板上、用于分隔所述發(fā)光亞像素的像素分隔墻,其中所述發(fā)光亞像素包括依次層疊于所述基板上的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層和有機(jī)發(fā)光層,所述像素分隔墻包括交替層疊的親液膜層與斥液膜層,所述像素分隔墻的最下層是親液膜層,所述像素分隔墻的最上層是斥液膜層,其特征在于,至少存在兩個(gè)發(fā)光亞像素,所述至少兩個(gè)發(fā)光亞像素對(duì)應(yīng)的空穴注入層、空穴傳輸層和有機(jī)發(fā)光層中至少存在一層的層厚不相等,且任意發(fā)光亞像素的空穴注入層、空穴傳輸層和有機(jī)發(fā)光層的上表面與所述像素分隔墻的其中一層親液膜層的上表面平齊。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED基板,其特征在于,與所述陽(yáng)極和空穴注入層對(duì)應(yīng)的像素分隔墻所包含的膜層數(shù)量為奇數(shù);以及
與所述空穴傳輸層或有機(jī)發(fā)光層對(duì)應(yīng)的像素分隔墻所包含的膜層數(shù)量為偶數(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的OLED基板,其特征在于,至少存在兩個(gè)發(fā)光亞像素,所述至少兩個(gè)發(fā)光亞像素對(duì)應(yīng)的空穴注入層的層厚不相等;
與所述陽(yáng)極和最厚的空穴注入層對(duì)應(yīng)的像素分隔墻所包含的膜層數(shù)量大于1,且與所述陽(yáng)極和最薄的空穴注入層對(duì)應(yīng)的像素分隔墻所包含的膜層數(shù)量不小于1。
4.如權(quán)利要求2所述的OLED基板,其特征在于,至少存在兩個(gè)發(fā)光亞像素,所述至少兩個(gè)發(fā)光亞像素對(duì)應(yīng)的空穴傳輸層的層厚不相等;
與最厚的空穴傳輸層對(duì)應(yīng)的像素分隔墻所包含的膜層數(shù)量大于2,且與最薄的空穴傳輸層對(duì)應(yīng)的像素分隔墻所包含的膜層數(shù)量不小于2。
5.如權(quán)利要求2所述的OLED基板,其特征在于,至少存在兩個(gè)發(fā)光亞像素,所述至少兩個(gè)發(fā)光亞像素對(duì)應(yīng)的有機(jī)發(fā)光層的層厚不相等;
與最厚的有機(jī)發(fā)光層對(duì)應(yīng)的像素分隔墻所包含的膜層數(shù)量大于2,且與最薄的有機(jī)發(fā)光層對(duì)應(yīng)的像素分隔墻所包含的膜層數(shù)量不小于2。
6.如權(quán)利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述親液膜層或所述斥液膜層范圍為5nm~100nm。
7.如權(quán)利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述親液膜層的材料為沉積速率可控的無(wú)機(jī)材料和/或帶有極性基團(tuán)的有機(jī)材料。
8.如權(quán)利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述斥液膜層的材料為沉積速率可控的無(wú)機(jī)材料和/或具有低表面能的有機(jī)材料。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1~7任一所述的OLED基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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