[發明專利]透明導電膜有效
| 申請號: | 201310209946.4 | 申請日: | 2013-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN103268780A | 公開(公告)日: | 2013-08-28 |
| 發明(設計)人: | 張晟;弋天寶;司倩倩;楊云良 | 申請(專利權)人: | 南昌歐菲光科技有限公司;蘇州歐菲光科技有限公司;深圳歐菲光科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14;G06F3/041 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄧云鵬 |
| 地址: | 330000 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 導電 | ||
1.一種透明導電膜,其特征在于,包括:
基底,包括第一表面和與第一表面相對設置的第二表面;
第一網格凹槽,開設于所述第一表面;
第一增黏層,設置于所述第一網格凹槽;
第一導電層,包括由填充于所述第一網格凹槽的導電材料所形成的第一導電網格,所述第一增黏層位于所述第一網格凹槽和所述第一導電層之間。
2.根據權利要求1所述的透明導電膜,其特征在于,所述第一網格凹槽底部為非平面結構,所述非平面結構的形狀包括至少一個V形和/或至少一個圓弧形。
3.根據權利要求2所述的透明導電膜,其特征在于,所述第一增黏層和所述第一網格凹槽底部的非平面結構互為相似圖形。
4.根據權利要求1所述的透明導電膜,其特征在于,所述第一導電層表面覆設有第一抗氧化層。
5.根據權利要求4所述的透明導電膜,其特征在于,所述基底包括基底本體和第一聚合物層,所述第一表面位于所述第一聚合物層遠離所述基底本體的一側。
6.根據權利要求1至5中任意一項所述的透明導電膜,其特征在于,還包括第一電極引線,所述第一電極引線設置于所述第一表面邊緣,連接于所述第一導電層。
7.根據權利要求1所述的透明導電膜,其特征在于,還包括第二網格凹槽、第二導電層和第二增黏層,所述第二網格凹槽開設于所述第二表面,所述第二導電層包括由填充于所述第二網格凹槽的導電材料所形成的第二導電網格,所述第二增黏層位于所述第二網格凹槽和所述第二導電層之間。
8.根據權利要求7所述的透明導電膜,其特征在于,所述基底包括基底本體和第二聚合物層,所述第二表面位于所述第二聚合物層遠離基底本體一側。
9.根據權利要求5所述的透明導電膜,其特征在于,還包括第二聚合物層、第二網格凹槽、第二導電層和第二增黏層,所述第二聚合物層覆設于所述第一聚合物層遠離所述基底的一側,所述第二聚合物層遠離所述基底的一側開設有第二網格凹槽,所述第二導電層包括由填充于第二網格凹槽的導電材料所形成的第二導電網格,所述第二增黏層位于所述第二網格凹槽和所述第二導電層之間。
10.根據權利要求8或9所述的透明導電膜,其特征在于,所述第二網格凹槽底部為非平面結構,所述非平面結構的形狀包括至少一個V形和/或至少一個圓弧形。
11.根據權利要求10所述的透明導電膜,其特征在于,所述第一網格凹槽寬度為d1,深度為h1,其中0.2μm≤d1≤5μm,2μm≤h1≤6μm,h1/d1>1,所述第二網格凹槽寬度為d2,深度為h2,其中0.2μm≤d2≤5μm,2μm≤h2≤6μm,h2/d2>1。
12.根據權利要求9所述的透明導電膜,其特征在于,所述第二導電層的表面覆設有第二抗氧化層。
13.根據權利要求12所述的透明導電膜,其特征在于,所述第一抗氧化層和所述第一增黏層的厚度為300nm~800nm,所述第二抗氧化層和所述第二增黏層的厚度為300nm~800nm。
14.根據權利要求8或9所述的透明導電膜,其特征在于,所述第二增黏層和所述第二網格凹槽底部的非平面結構互為相似圖形。
15.根據權利要求8或9所述的透明導電膜,其特征在于,還包括第二電極引線,所述第二電極引線與所述第二導電層連接,且在所述基底的投影位于所述基底的邊緣。
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