[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310209527.0
• 申請日: 2013-05-30
• 公開（公告）號: CN104218172A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 周明杰;馮小明;黃輝;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括基板和依次層疊設置在基板上的反射電極、結晶型有機層、非結晶型有機層、第一透射電極、發光功能層和第二透射電極，所述結晶型有機層的材質為N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺，4,7-二苯基-鄰菲咯啉，9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑，2-（4-聯苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑或2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲，所述非結晶型有機層的材質為1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺，4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺，8-羥基喹啉鋁或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺，所述反射電極的材質為金屬薄膜，所述金屬薄膜包括金屬金，銀，鋁，銅，鎳，鉑，鎂單質或其任意組合形成的合金，所述第一透射電極的材質為導電氧化物薄膜或金屬金、銀、鋁、鉑薄膜，所述第二透射電極的材質為金、銀、鋁、鎂或其任意組合形成的合金薄膜，所述發光功能層至少包括依次層疊的空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述結晶型有機層的厚度為20～120nm，所述非結晶型有機層的厚度為20～100nm。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述結晶型有機層的厚度為40～120nm，所述非結晶型有機層的厚度為40～100nm。

4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述反射電極的厚度為70～500nm。

5.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將潔凈的基板置于真空度為1×10^-3～1×10^-5Pa的真空鍍膜室中，采用真空熱阻蒸發或電子束蒸發的方式在所述基板上制備反射電極，所述反射電極的材質為金屬薄膜，所述金屬薄膜包括金屬金，銀，鋁，銅，鎳，鉑，鎂單質或其任意組合形成的合金；

采用真空蒸發的方式在所述反射電極表面制備非晶的結晶型有機層，然后通過退火工藝結晶，得到結晶后的結晶型有機層，所述結晶型有機層的材質為N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺，4,7-二苯基-鄰菲咯啉，9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑，2-（4-聯苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑或2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲；

采用真空蒸發的方式在所述結晶型有機層上制備非結晶型有機層，所述非結晶型有機層的材質為1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺，4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺，8-羥基喹啉鋁或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺；

在所述非結晶型有機層表面依次制備第一透射電極、發光功能層和第二透射電極，得到有機電致發光器件；所述第一透射電極的材質為導電氧化物薄膜或金屬金、銀、鋁、鉑薄膜，所述第二透射電極的材質為金、銀、鋁、鎂或其任意組合形成的合金薄膜，所述發光功能層至少包括依次層疊的空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層，所述第一透射電極采用真空蒸發或磁控濺射的方式制備，所述發光功能層和第二透射電極采用真空蒸發的方式制備。

6.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述結晶型有機層的蒸發速度為0.1～1nm/s，所述非結晶型有機層的蒸發速度為0.1～1nm/s。

7.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述退火工藝為:以2～10℃/min的速度加熱到高于所述結晶型有機層的玻璃化溫度5～20℃的溫度，保持5～30分鐘，隨后冷卻至室溫。

8.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述結晶型有機層的厚度為20～120nm，所述非結晶型有機層的厚度為20～100nm。

9.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述結晶型有機層的厚度為40～120nm，所述非結晶型有機層的厚度為40～100nm。

10.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述反射電極的厚度為70～500nm。