[發(fā)明專(zhuān)利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310208444.X | 申請(qǐng)日: | 2013-05-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104218168A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-12-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周明杰;馮小明;張振華;王平 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L51/52 | 分類(lèi)號(hào): | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專(zhuān)利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有機(jī) 電致發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,包括依次層疊的透光基板、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,所述電子注入層包括堿金屬氯化物層和設(shè)置在堿金屬氯化物層表面上的堿金屬氧化物層,所述堿金屬氯化物層設(shè)置在所述電子傳輸層表面上,所述堿金屬氯化物層的材質(zhì)為氯化鋰、氯化銫、氯化鈉或氯化鉀,所述堿金屬氧化物層的材質(zhì)為氧化鋰、氧化鉀、氧化鈉、氧化銫或過(guò)氧化銫,所述堿金屬氯化物層的厚度為0.5~2nm;所述堿金屬氧化物層的厚度為1~5nm。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述堿金屬氯化物層和所述堿金屬氧化物層的材質(zhì)中的堿金屬元素相同。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述電子傳輸層的材質(zhì)為8-羥基喹啉鋁、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述陰極的材質(zhì)為銀、鋁、銀鎂合金或鋁鎂合金。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述陽(yáng)極的材質(zhì)為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或鎵鋅氧化物。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述空穴注入層的材質(zhì)為酞菁鋅、酞菁銅、酞菁氧釩或酞菁氧鈦。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述空穴傳輸層的材質(zhì)為N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺或N,N,N′,N’-四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述發(fā)光層的材質(zhì)為熒光材料,或客體材料摻雜到主體材料形成的混合材料,所述客體材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、雙(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合銥、雙(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、三(1-苯基-異喹啉)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥,所述主體材料為4,4′-二(9-咔唑)聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺,所述客體材料和主體材料的質(zhì)量比為0.01:1~0.15:1;所述熒光材料為4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯(lián)苯、4,4′-雙[4-(二對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯、5,6,11,12-四苯基萘并萘或二甲基喹吖啶酮。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括以下操作步驟:
(1)在清洗干凈后的透光基板上采用磁控濺射的方法制備陽(yáng)極;在陽(yáng)極上采用熱阻蒸發(fā)的方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層;
(2)在所述電子傳輸層上采用電子束蒸發(fā)或熱阻蒸發(fā)的方法制備電子注入層,所述電子注入層包括堿金屬氯化物層和設(shè)置在堿金屬氯化物層表面上的堿金屬氧化物層,所述堿金屬氯化物層設(shè)置在所述電子傳輸層表面上,所述堿金屬氯化物層的材質(zhì)為氯化鋰、氯化銫、氯化鈉或氯化鉀,所述堿金屬氧化物層的材質(zhì)為氧化鋰、氧化鉀、氧化鈉、氧化銫或過(guò)氧化銫;所述堿金屬氯化物層的厚度為0.5~2nm;所述堿金屬氧化物層的厚度為1~5nm;所述蒸發(fā)壓強(qiáng)為1×10-5Pa~1×10-3Pa,所述蒸發(fā)速率為0.1~1nm/s;所述電子束的蒸發(fā)速度為0.1nm/s~0.2nm/s;電子束蒸發(fā)的能量密度為10~100W/cm2;
(3)在堿金屬氧化物層上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備陰極,得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,所述堿金屬氯化物層和所述堿金屬氧化物層的材質(zhì)中的堿金屬元素相同。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專(zhuān)門(mén)適用于感應(yīng)紅外線(xiàn)輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專(zhuān)門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
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- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
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