[發明專利]AMOLED電壓外部補償方法及系統有效
| 申請號: | 201310208297.6 | 申請日: | 2013-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN103268756A | 公開(公告)日: | 2013-08-28 |
| 發明(設計)人: | 黃成強;汪寧;章琦;妙維;汪輝;封松林 | 申請(專利權)人: | 上海中科高等研究院 |
| 主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201210 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | amoled 電壓 外部 補償 方法 系統 | ||
技術領域
本發明屬于微電子技術領域,涉及一種電壓補償方法及系統,特別是涉及一種AMOLED電壓外部補償方法及系統。
背景技術
AMOLED(Active?Matrix/Organic?Light?Emitting?Diode,有源矩陣有機發光二極體面板)采用的是主動式驅動,其中有一個驅動管TFT,由于TFT工藝的偏差,各個驅動管的閾值電壓和電子遷移率等參數不可能保持完全一致。驅動管閾值電壓和電子遷移率的差異,都會對顯示圖像的質量造成不良影響。因此,需要對驅動管的閾值電壓和電子遷移率進行補償。
傳統的補償方法是在像素內部對驅動管的閾值電壓和電子遷移率進行補償,補償的結構有多種,從2T1C發展到6T1C,通過這些補償結構的補償,使得得到的驅動電流與驅動管的閾值電壓和電子遷移率無關。由于這些補償都是在像素內進行的,在像素內部增加了很多TFT和電容,尤其是電容占用的芯片面積較大,在加上其他管子占用的面積,OLED的發光面積占整個像素面積的比例大大降低,即占空比AR(Aperture?Ratio)很低。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種AMOLED電壓外部補償方法及系統,用于解決現有技術中對AMOLED電壓補償均是在像素內部完成的,降低了像素單元的占空比的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種AMOLED電壓外部補償方法及系統。
一種AMOLED電壓外部補償方法,所述AMOLED電壓外部補償方法包括:
讀取像素陣列中每個像素單元中的OLED的驅動電壓;
利用比較器比較所述驅動電壓和預設的參考電壓的大小,若所述驅動電壓小于預設的參考電壓,則輸出高電平,并開始電壓補償;
所述電壓補償包括:利用減法器得出所述驅動電壓和預設的參考電壓的電壓差,同時輸出比較器的位置信號;根據所述電壓差,通過查找表查找存儲器中存儲的需要補償的數字量、比較器的輸出信號和位置信號;利用電壓控制器讀取需要補償的數字量和比較器的位置信號;利用校正單元根據所述需要補償的數字量對輸入所述OLED的圖像信號進行校正;利用數模轉換模塊對校正后的圖像信號進行轉換,獲得校正圖像電壓信號輸入到所述OLED中;
重復所述電壓補償過程,直至所述驅動電壓等于預設的參考電壓,比較器輸出低電平,停止電壓補償。
優選地,所述校正圖像電壓信號的電壓值大于校正前的所述圖像信號的電壓值。
一種AMOLED電壓外部補償電路,所述AMOLED電壓外部補償電路包括:
參考電壓產生器,輸出預設的參考電壓;
比較器,與像素陣列中每個像素單元中的OLED和所述參考電壓產生器相連,比較所述OLED的驅動電壓和預設的參考電壓的大小,若所述驅動電壓小于預設的參考電壓,則輸出高電平,并啟動電壓補償模塊,持續進行電壓補償,直至所述驅動電壓等于預設的參考電壓,則輸出低電平,關閉電壓補償模塊,停止電壓補償;
所述電壓補償模塊包括:
減法器,與所述比較器相連,在比較器輸出高電平時計算得出所述驅動電壓和預設的參考電壓的電壓差,同時輸出比較器的位置信號;
存儲器,存儲有查找表,所述查找表中包括與所述電壓差對應的需要補償的數字量、比較器的輸出信號和位置信號;
電壓控制器,與所述存儲器和減法器分別相連,根據減法器輸出的電壓差和所述查找表讀取需要補償的數字量和比較器的位置信號;
校正單元,與所述電壓控制器相連,根據所述需要補償的數字量對輸入所述OLED的圖像信號進行校正;
數模轉換模塊,與所述校正單元、像素單元分別相連,對校正后的圖像信號進行轉換,獲得校正圖像電壓信號輸入到所述OLED中。
優選地,所述比較器包括M個比較單元,每個比較單元對應采樣所述像素陣列中一行像素單元的圖像信號的電壓值;M為所述像素陣列中像素單元的行數,M為大于等于1的正整數。
優選地,所述減法器包括M個減法單元,每個減法單元與對應一個比較單元相連。
如上所述,本發明所述的AMOLED電壓外部補償方法及系統,具有以下有益效果:
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